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Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > Rectificadores 200V 3A del transistor de poder del Mosfet de MURS320T3G ultrarrápidos

Rectificadores 200V 3A del transistor de poder del Mosfet de MURS320T3G ultrarrápidos

Rectificadores 200V 3A del transistor de poder del Mosfet de MURS320T3G ultrarrápidos
Rectificadores 200V 3A del transistor de poder del Mosfet de MURS320T3G ultrarrápidos
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte superficial SMC del diodo 200 V 3A
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Contact us
Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Fabricante Kit:
EN el semiconductor
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 175 C
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 65 C
Tiempo de recuperación:
35 ns
Ir - Corriente inversa:
5 uA
Max Surge Current:
100 A
Punto culminante:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introducción

Rectificadores 200V 3A del transistor de poder del Mosfet de MURS320T3G ultrarrápidos

Características

  • Pequeño paquete aumentable superficial compacto con las ventajas de J−Bend

  • Paquete rectangular para la dirección automatizada

  • Empalme apaciguado de cristal de alta temperatura

  • V delantero bajo @ 1,0 máximos A, TJ de la caída de voltaje (0,71 a 1,05 = 150°C)

  • Prefijos NRVUS y SURS8 para los usos automotrices y otros

    Requerir requisitos únicos del cambio del sitio y de control;

    AEC−Q101 calificó y PPAP capaz

  • Estos dispositivos son Pb−Free, halógeno Free/BFR libre y son RoHS

    Obediente

Características mecánicas:

  • Caso: De epoxy, moldeado

  • Peso: magnesio 95 (aproximadamente)

  • Final: Todo el externo emerge resistente a la corrosión y las ventajas terminales son fácilmente Solderable

  • Temperatura superficial de la ventaja y de montaje para los propósitos que sueldan:

  • Polaridad: La banda de la polaridad indica la ventaja del cátodo

  • Grado del ESD:

    * HumanBodyModel=3B (>8kV)

* MachineModel=C (>400V)

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