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Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > Rectificadores 200V 1A del transistor de poder del Mosfet de MURS120T3G ultrarrápidos

Rectificadores 200V 1A del transistor de poder del Mosfet de MURS120T3G ultrarrápidos

Rectificadores 200V 1A del transistor de poder del Mosfet de MURS120T3G ultrarrápidos
Rectificadores 200V 1A del transistor de poder del Mosfet de MURS120T3G ultrarrápidos
fabricante:
Fabricante
Descripción:
GEN PURP 200V 1A SMB del DIODO
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Contact us
Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Fabricante Kit:
EN el semiconductor
Montaje de estilo:
SMD/SMT
Paquete/caso:
SMB-2
Vr - Voltaje inverso:
200 V
Si - corriente delantera:
2 A
Tipo:
Rectificadores rápidos de la recuperación
Punto culminante:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introducción

Rectificadores 200V 1A del transistor de poder del Mosfet de MURS120T3G ultrarrápidos

Características

  • Pequeño paquete aumentable superficial compacto con las ventajas de J−Bend

  • Paquete rectangular para la dirección automatizada

  • Empalme apaciguado de cristal de alta temperatura

  • V delantero bajo @ 1,0 máximos A, TJ de la caída de voltaje (0,71 a 1,05 = 150°C)

  • Prefijos NRVUS y SURS8 para los usos automotrices y otros que requieren requisitos únicos del cambio del sitio y de control; AEC−Q101 calificó y PPAP capaz

  • Estos dispositivos son Pb−Free, halógeno Free/BFR libre y son RoHS obediente

Características mecánicas:

  • Caso: De epoxy, moldeado

  • Peso: magnesio 95 (aproximadamente)

  • Final: Todo el externo emerge resistente a la corrosión y las ventajas terminales son fácilmente Solderable

  • Temperatura superficial de la ventaja y de montaje para los propósitos que sueldan: máximo 260°C por 10 segundos

    • Polaridad: La banda de la polaridad indica la ventaja del cátodo

    • Grado del ESD:

      * HumanBodyModel=3B (>8kV) * MachineModel=C (>400V)

GRADOS MÁXIMOS

Grado

Símbolo

MURS/SURS8/NRVUS

Unidad

105T3

110T3

115T3

120T3

140T3

160T3

Voltaje reverso repetidor máximo que trabaja voltaje de bloqueo máximo de DC del voltaje reverso

VRRM VRWM VR

50

100

150

200

400

600

V

Corriente delantera rectificada media

SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)

1,0 @ TL = 155°C 2,0 @ TL = 145°C

1,0 @ TL = 150°C 2,0 @ TL = 125°C

Sobretensión del pico de Non−Repetitive, (oleada aplicada en la media onda de las condiciones de carga clasificada, la monofásico, 60 herzios)

IFSM

40

35

Temperatura de empalme de funcionamiento

TJ

*65 a +175

°C
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