Diodos Zener 11V 500mW del transistor de poder del Mosfet de MMSZ5241BT1G
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Diodos Zener 11V 500mW del transistor de poder del Mosfet de MMSZ5241BT1G
Características
• grado de 500 mW en el tablero FR−4 o FR−5
• − ancho 2,4 V de la gama del voltaje reverso de Zener a termal de 110 V @
Equilibrium*
• Paquete diseñado para la asamblea automatizada óptima del tablero
• Tamaño del pequeño paquete para los usos de alta densidad
• Corriente de fines generales, media
• Grado del ESD de la clase 3 (> 16 kilovoltios) por modelo del cuerpo humano
• Prefijo de SZ para requerir automotriz y otro de los usos único
Sitio y requisitos del cambio de control; AEC−Q101 calificó y
PPAP capaz
• Éstos son Pb−Free Devices*
GRADOS MÁXIMOS
|
Grado |
Símbolo |
Máximo |
Unidades |
|
Disipación de poder total en el tablero FR−5, (nota 1) @ TL = 75°C |
Paladio |
500 6,7 |
mW mW/°C |
|
Resistencia termal, Junction−to−Ambient (nota 2) |
RqJA |
340 |
°C/W |
|
Resistencia termal, Junction−to−Lead (nota 2) |
RqJL |
150 |
°C/W |
|
Gama de temperaturas del empalme y de almacenamiento |
TJ, Tstg |
−55 a +150 |
°C |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485