CSD17578Q3A que monta el transistor de poder del Mosfet del estilo 30 V 8-VSONP
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
MOSFET CSD17578Q3A 30 V 8-VSONP del transistor de poder del Mosfet de CSD17578Q3A
Características 1
- Qg y Qgd bajos
-
RDS bajo (encendido)
-
Resistencia termal baja
-
Avalancha clasificada
-
Pb-libre
-
RoHS obediente
-
Halógeno libre
-
HIJO 3,3 milímetros de × paquete plástico de 3,3 milímetros
2 usos
-
Punto-de-carga Buck Converter síncrono para los usos en establecimiento de una red, telecomunicaciones, y sistemas de cálculo
-
Optimizado para los usos del FET del control
Descripción 3
Este 30 V, 6,3 mΩ, HIJO MOSFET del poder de 3,3 del milímetro milímetros NexFETTM del × 3,3 se diseñan para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder.
Resumen del producto
TA = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDAD | ||
VDS | Voltaje de la Dren-a-fuente | 30 | V | |
Qg | Total de la carga de la puerta (4,5 V) | 7,9 | nC | |
Qgd | Puerta de la carga de la puerta a drenar | 1,7 | nC | |
RDS (encendido) | En-resistencia de la Dren-a-fuente | VGS = 4,5 V | 8,2 | mΩ |
VGS =10V | 6,3 | mΩ | ||
VGS (th) | Voltaje del umbral | 1,5 | V |
Información el ordenar
DISPOSITIVO |
MEDIOS |
QTY |
PAQUETE |
NAVE |
CSD17578Q3A |
carrete 13-Inch |
2500 |
HIJO paquete plástico de 3,3 x 3,3 milímetros |
Cinta y carrete |
CSD17578Q3AT |
carrete 7-Inch |
250 |
Grados máximos absolutos
TA = 25°C |
VALOR |
UNIDAD |
|
VDS |
Voltaje de la Dren-a-fuente |
30 |
V |
VGS |
Voltaje de la Puerta-a-fuente |
±20 |
V |
Identificación |
Continuo drene actual (el paquete limitado) |
20 |
|
Corriente continua del dren (silicio limitado), TC = 25°C |
54 |
||
Corriente continua del dren (1) |
14 |
||
IDM |
Corriente pulsada del dren (2) |
142 |
|
Paladio |
Disipación de poder (1) |
2,5 |
W |
Disipación de poder, TC = 25°C |
37 |
||
TJ, Tstg |
Temperatura de empalme de funcionamiento, temperatura de almacenamiento |
– 55 a 150 |
°C |
EAS |
Energía de la avalancha, sola identificación =22A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso |
24 |
mJ |