Conductor Circuit, transistor de transferencia del poder PowerTrench del Mosfet del canal de FDMS6681Z P
fabricante:
Fabricante
Descripción:
P-canal 30 V 21.1A (TA), 49A (Tc) 2.5W (TA), 73W (Tc) soporte 8-PQFN (5x6) de la superficie
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
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Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Peso de unidad:
0,002402 onzas
Tipo de producto:
MOSFET
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Paladio - disipación de poder:
2,5 W
Empaquetado:
Corte la cinta
Punto culminante:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Introducción
P-canal PowerTrench del MOSFET -30V del transistor de poder del Mosfet de FDMS6681Z
Características
- MΩ máximo 3,2 del rDS (encendido) = en VGS = -10 V, identificación = -21,1 A
- MaxrDS (encendido) =5.0mΩatVGS =-4.5V, identificación =-15.7A
-
Combinación avanzada del paquete y del silicio para el rDS bajo (encendido)
-
Nivel de la protección de HBM ESD de 8kV típico (nota 3)
-
Diseño de paquete robusto MSL1
-
RoHS obediente
Descripción general
El FDMS6681Z se ha diseñado para minimizar pérdidas en usos del interruptor de la carga. Los adelantos en tecnologías del silicio y del paquete se han combinado para ofrecer el rDS más bajo (encendido) y la protección del ESD.
Usos
- Interruptor de la carga en cuaderno y servidor
- Gestión del poder de la batería del cuaderno
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