Configuración de alto voltaje de NCh PowerTrench del transistor de poder del Mosfet FDT3612 sola
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte SOT-223-4 de la superficie del canal N 100 V 3.7A (TA) 3W (TA)
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
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Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Peso de unidad:
0,003951 onzas
Tipo de producto:
MOSFET
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Configuración:
Solo
Modo del canal:
Aumento
Punto culminante:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Introducción
MOSFET 100V NCh PowerTrench del transistor de poder del Mosfet FDT3612
Descripción general
Este MOSFET del canal N se ha diseñado específicamente para mejorar la eficacia total de los convertidores de DC/DC usando reguladores síncronos o convencionales de la transferencia PWM.
Estos MOSFETs ofrecen una transferencia más rápida y una carga más baja de la puerta que otros MOSFETs con especificaciones comparables del RDS (ENCENDIDO). El resultado es los diseños de la fuente de un alimentación del MOSFET que es fácil y más seguro de conducir (incluso en los mismos de alta frecuencia), y de DC/DC con una eficacia total más alta.
Usos
• DC/DCconverter
• Motordriving
Características
- 3.7A, 100V. RDS (ENCENDIDO) =120MΩ@VGS =10V RDS (ENCENDIDO) =130MΩ@VGS =6V
- Fastswitchingspeed
- Lowgatecharge (14nCtyp)
- Highperformancetrenchtechnologyforextremely RDS bajo (ENCENDIDO)
- Poder más elevado y capacidad de dirección actual en un paquete superficial ampliamente utilizado del soporte
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