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Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > Carga baja rápida de la puerta de la velocidad de transferencia del canal N del transistor de poder del Mosfet de FDPF045N10A 100V

Carga baja rápida de la puerta de la velocidad de transferencia del canal N del transistor de poder del Mosfet de FDPF045N10A 100V

Carga baja rápida de la puerta de la velocidad de transferencia del canal N del transistor de poder del Mosfet de FDPF045N10A 100V
Carga baja rápida de la puerta de la velocidad de transferencia del canal N del transistor de poder del Mosfet de FDPF045N10A 100V
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal N 100 V 67A (Tc) 43W (Tc) a través del agujero TO-220F-3
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Contact us
Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Peso de unidad:
0,080072 onzas
Tipo de producto:
MOSFET
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 175 C
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
4,5 mOhms
Identificación - corriente continua del dren:
67 A
Punto culminante:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introducción

MOSFET de PowerTrench del canal N del MOSFET 100V del transistor de poder del Mosfet de FDPF045N10A

Características

  • RDS (encendido) =3.7mΩ (tipo.) @VGS =10V, identificación =67A

  • Velocidad que cambia rápida

  • Carga baja de la puerta, QG = 57 nC (tipo.)

  • Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (encendido)

  • Poder más elevado y capacidad de dirección actual

  • RoHS obediente

Descripción

Este MOSFET del canal N se produce usando el proceso anticipado de PowerTrench® de Fairchild Semiconductor® que se ha adaptado para minimizar la resistencia del en-estado mientras que mantenga el funcionamiento que cambia superior del ing.

Usos

  • Rectificación síncrona para ATX/la fuente de alimentación del servidor/de las telecomunicaciones

  • Impulsiones y sistemas de alimentación ininterrumpida del motor

  • Inversor solar micro

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