Transistor del Mosfet del canal N FDMS86181, conductor Circuit Shielded Gate del motor del Mosfet
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal N 100 V 44A (TA), 124A (Tc) 2.5W (TA), 125W (Tc) soporte 8-PQFN (5x6) de la superficie
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
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Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Peso de unidad:
0,003175 onzas
Tipo de producto:
MOSFET
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Modo del canal:
Aumento
Configuración:
Solo
Punto culminante:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
Introducción
MOSFET del foso del poder del MOSFET 100V/20V N-Chnl del transistor de poder del Mosfet FDMS86181
Características
- Tecnología protegida del MOSFET de la puerta
- MaxrDS (encendido) =4.2mΩat VGS =10V, identificación =44A
- MaxrDS (encendido) =12mΩat VGS =6V, identificación =22A
- AÑADA
- el 50%
- un Qrr más bajo que otros proveedores del MOSFET baja la transferencia noise/EMI
- Diseño de paquete robusto MSL1
- El 100% UIL probó
- RoHS obediente
Descripción general
Este MOSFET del milivoltio del canal N se produce usando el proceso avanzado del ® de PowerTrench del semiconductor de Fairchild que incorpora tecnología protegida de la puerta. Este proceso se ha optimizado para minimizar resistencia del en-estado pero para mantener funcionamiento que cambiaba superior con mejor en diodo suave del cuerpo de la clase.
Usos
- MOSFET primario de DC-DC
- Rectificador síncrono en impulsión del motor de DC-DC y de AC-DC
- Solar
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