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Transistor de poder del Mosfet de FDV301N Digitaces N-Ch EN el semiconductor 25 V 0,22 A continuo

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte SOT-23-3 de la superficie 350mW (TA) del canal N 25 V 220mA (TA)
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
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Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Peso de unidad:
0.001093 onzas
Tipo de producto:
MOSFET
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Fabricante:
EN el semiconductor
Categoría de producto:
MOSFET
Punto culminante:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introducción

MOSFET N-Ch Digital del transistor de poder del Mosfet de FDV301N

Características

  • 25 V, 0,22 A continuas, 0,5 picos de A. RDS (ENCENDIDO) =5Ω@VGS=2.7V
  • RDS (ENCENDIDO) = 4 Ω @ VGS= 4,5 V.
  • El permitir baja misma de los requisitos de la impulsión de la puerta directo
  • operación en los circuitos 3V. VGS (th) < 1="">
  • Puerta-fuente Zener para la aspereza del ESD. Modelo del cuerpo humano de >6kV
  • Substituya los transistores digitales múltiples de NPN por un FET de DMOS.

Descripción general

Este transistor de efecto de campo del modo del aumento del nivel de la lógica del canal N se produce usando Fairchild propietaria, alta densidad de célula, tecnología de DMOS. Este proceso muy de alta densidad se adapta especialmente para minimizar resistencia del en-estado. Este dispositivo se ha diseñado especialmente para los usos de la baja tensión como reemplazo para los transistores digitales. Puesto que los resistores de prejuicio no se requieren, este FET de un canal N puede substituir varios diversos transistores digitales, por diversos valores del resistor diagonal.

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Imagen parte # Descripción
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