Transistor de poder del Mosfet de FDV301N Digitaces N-Ch EN el semiconductor 25 V 0,22 A continuo
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
MOSFET N-Ch Digital del transistor de poder del Mosfet de FDV301N
Características
- 25 V, 0,22 A continuas, 0,5 picos de A. RDS (ENCENDIDO) =5Ω@VGS=2.7V
- RDS (ENCENDIDO) = 4 Ω @ VGS= 4,5 V.
- El permitir baja misma de los requisitos de la impulsión de la puerta directo
- operación en los circuitos 3V. VGS (th) < 1="">
- Puerta-fuente Zener para la aspereza del ESD. Modelo del cuerpo humano de >6kV
- Substituya los transistores digitales múltiples de NPN por un FET de DMOS.
Descripción general
Este transistor de efecto de campo del modo del aumento del nivel de la lógica del canal N se produce usando Fairchild propietaria, alta densidad de célula, tecnología de DMOS. Este proceso muy de alta densidad se adapta especialmente para minimizar resistencia del en-estado. Este dispositivo se ha diseñado especialmente para los usos de la baja tensión como reemplazo para los transistores digitales. Puesto que los resistores de prejuicio no se requieren, este FET de un canal N puede substituir varios diversos transistores digitales, por diversos valores del resistor diagonal.

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Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

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