Canal N PowerTrench de Circuit Using Transistor 100V del conductor del Mosfet FDMS3662
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal N 100 V 8.9A (TA), 49A (Tc) 2.5W (TA), 104W (Tc) soporte 8-PQFN (5x6) de la superficie
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
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Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Peso de unidad:
0,002402 onzas
Tipo de producto:
MOSFET
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 155 C
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
mOhms 14,8
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
20 V
Punto culminante:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
Introducción
Canal N PowerTrench del MOSFET 100V del transistor de poder del Mosfet FDMS3662
Características
- RDS máximo (encendido) = 14.8mΩ en VGS = 10V, identificación = 8.9A
- Combinación avanzada del paquete y del silicio para el rDS bajo (encendido)
- Diseño de paquete robusto MSL1
- El 100% UIL probado
- RoHS obediente
Descripción general
Este MOSFET del canal N se produce usando el proceso avanzado del ® del foso del poder del semiconductor de Fairchild que se ha adaptado especialmente para minimizar la resistencia del en-estado pero mantener funcionamiento que cambia superior.
Uso
- Conversión de DC - de DC
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