Foso obediente del poder del canal del transistor de poder del Mosfet de FDMC6679AZ RoHS -30V P
fabricante:
Fabricante
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
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Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Peso de unidad:
0,005832 onzas
Tipo de producto:
MOSFET
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Configuración:
Solo
Paladio - disipación de poder:
41 W
Punto culminante:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Introducción
Foso del poder del P-canal del MOSFET -30V del transistor de poder del Mosfet de FDMC6679AZ
Características
- MΩ máximo 10 del rDS (encendido) = en VGS = -10 V, identificación = -11,5 A
- Máximo r = mΩ 18 en V = -4,5 V, yo = -8,5 Un DS (en) GS D
- Nivel de la protección de HBM ESD de 8 kilovoltios de típico (nota 3)
- Gama extendida de VGSS (- 25 V) para los usos de la batería
- Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el rDS bajo (encendido)
- Poder más elevado y capacidad de dirección actual
- La terminación es sin plomo y RoHS obediente
Descripción general
El FDMC6679AZ se ha diseñado para minimizar pérdidas en usos del interruptor de la carga. Los adelantos en tecnologías del silicio y del paquete se han combinado para ofrecer el rDS más bajo (encendido) y la protección del ESD.
Usos
- Interruptor de la carga en cuaderno y servidor
- Gestión del poder de la batería del cuaderno
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