Circuitos del transistor del Mosfet de la velocidad rápida FDC3535, circuito de control de motor del Mosfet
fabricante:
Fabricante
Descripción:
MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
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Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Peso de unidad:
0,001270 onzas
Tipo de producto:
MOSFET
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Configuración:
Solo
Paladio - disipación de poder:
1,6 vatios
Punto culminante:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
Introducción
MOSFET del MOSFET del transistor de poder del Mosfet FDC3535; -80V P-Chan PowerTrench
Características
- MaxrDS (encendido) =183mΩatVGS =-10V, identificación =-2.1A
- MaxrDS (encendido) =233mΩatVGS =-4.5V, identificación =-1.9A
- Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el rDS bajo (encendido)
- Poder más elevado y capacidad de dirección actual en un paquete superficial ampliamente utilizado del soporte
- Velocidad que cambia rápida
- El 100% UIL probado
- RoHS obediente
Descripción general
Este MOSFET del P-canal se produce usando el proceso avanzado del ® del foso del poder del semiconductor de Fairchild que se ha optimizado para el rDS (encendido), el funcionamiento y la aspereza que cambiaban.
Usos
- Interruptor de la carga
- Rectificador síncrono
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