Bloque de poder síncrono de NexFET del dólar del Mosfet IC del canal N de CSD87335Q3D 30 V 8-LSON-CLIP -55 a 150
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Bloque de poder síncrono de NexFET del dólar del MOSFET 30-V del transistor de poder del Mosfet de CSD87335Q3D 8-LSON-CLIP -55 a 150
Características 1
- Bloque de poder del semipuente
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Hasta 27-V VIN
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93,5% eficacia de sistema en 15 A
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Hasta la operación 25-A
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Operación de alta frecuencia (hasta 1,5 megaciclos)
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HIJO de alta densidad 3,3 milímetros de × huella de 3,3 milímetros
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Optimizado para la impulsión de la puerta 5-V
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Pérdidas de la Bajo-transferencia
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Paquete ultrabajo de la inductancia
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RoHS obediente
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Halógeno libre
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Galjanoplastia terminal sin plomo
2 usos
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Buck Converters síncrono
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– Usos de alta frecuencia
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– De gran intensidad, usos del ciclo del Bajo-deber
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Buck Converters síncrono polifásico
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Convertidores del POLÍTICO DC-DC
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Usos de IMVP, de VRM, y de VRD
Descripción 3
El bloque de poder de CSD87335Q3D NexFETTM es un diseño optimizado para la capacidad de gran intensidad, de gran eficacia, y de alta frecuencia síncrona del ofrecimiento de los usos del dólar en un pequeño × de 3,3 milímetros esquema de 3,3 milímetros. Optimizado para los usos de la impulsión de la puerta 5-V, este producto ofrece una solución flexible capaz de ofrecer una fuente de alimentación de alta densidad cuando está emparejado con cualquier impulsión de la puerta 5-V de un regulador o de un conductor externo.
Información del dispositivo
DISPOSITIVO |
MEDIOS |
QTY |
PAQUETE |
NAVE |
CSD87335Q3D |
carrete 13-Inch |
2500 |
HIJO 3,30 milímetros de × paquete plástico de 3,30 milímetros |
Cinta y Ree |
CSD87335Q3DT |
carrete 7-Inch |
250 |