MOSFETs duales del transistor de poder del Mosfet del canal de CSD87312Q3E 2 30V N-CH NexFET Pwr
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFETs duales del MOSFET 30V N-CH NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet de CSD87312Q3E
CARACTERÍSTICAS
- Ection de CommonSourceConn
- Ultr un L dren de o w para drenar En-resistencia
- HIJO del ahorro de espacio paquete plástico de 3,3 x de 3.3m m
- Optimizado para la impulsión de la puerta 5V
- Resistencia termal baja
- Avalancha clasificada
- Galjanoplastia terminal libre del Pb
- RoHS obediente
- USOS libres del halógeno
USOS
- Adaptor/USB entró la protección para el cuaderno
- PC y tabletas
RESUMEN DEL PRODUCTO
|
TA = 25°C |
VALOR TÍPICO |
UNIDAD |
||
|
VDS |
Drene al voltaje de la fuente |
30 |
V |
|
|
Qg |
Total de la carga de la puerta (4.5V) |
6,3 |
nC |
|
|
Qgd |
Puerta de la carga de la puerta a drenar |
0,7 |
nC |
|
|
RDD (encendido) |
Drene para drenar en la resistencia (Q1+Q2) |
VGS = 4.5V |
31 |
mΩ |
|
VGS = 8V |
27 |
mΩ |
||
|
VGS (th) |
Voltaje del umbral |
1,0 |
V |
|
INFORMACIÓN EL ORDENAR
|
Dispositivo |
Paquete |
Medios
|
Qty |
Nave |
|
CSD87312Q3E |
HIJO paquete plástico de 3,3 x de 3.3m m |
13-en carrete del ch |
2500 |
Cinta y carrete |
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
|
TA = 25°C |
VALOR |
UNIDAD |
|
|
VDS |
Drene al voltaje de la fuente |
30 |
V |
|
VGS |
Puerta al voltaje de la fuente |
+10/-8 |
V |
|
Identificación |
(1) corriente continua del dren, TC = 25°C |
27 |
|
|
IDM |
Corriente pulsada del dren (2) |
45 |
|
|
Paladio |
Disipación de poder |
2,5 |
W |
|
TJ, TSTG |
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento |
– 55 a 150 |
°C |
|
EAS |
Energía de la avalancha, sola identificación =24A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso |
29 |
mJ |
DESCRIPCIÓN
El CSD87312Q3E es 30V una común-fuente, dispositivo dual del canal N diseñado para la protección de la entrada de adaptor/USB. Este HIJO dispositivo de 3,3 x de 3.3m m tiene dren bajo para drenar la en-resistencia que minimiza pérdidas y ofrece la cuenta componente baja para los usos obligados espacio de la carga de batería de la multi-célula.
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