Conductor Circuit, transistores del Mosfet del poder de CSD25402Q3A 650 milivoltio del Mosfet del poder más elevado
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
MOSFET del MOSFET P-CH Pwr del transistor de poder del Mosfet de CSD25402Q3A
Características 1
- Qg y Qgd ultrabajos
-
Resistencia termal baja
-
RDS bajo (encendido)
-
Pb y halógeno libres
-
RoHS obediente
-
HIJO 3,3 milímetros de × paquete plástico de 3,3 milímetros
2 usos
-
Convertidores de DC-DC
-
Gestión de la batería
-
Interruptor de la carga
-
Protección de la batería
Descripción 3
Este – 20-V, MOSFET del poder de NexFETTM de 7,7 mΩ se diseña para minimizar pérdidas en usos de la gestión de la carga de la conversión de poder con un HIJO 3,3 milímetros de × el paquete de 3,3 milímetros que ofrece un funcionamiento termal excelente para el tamaño del dispositivo.
Resumen del producto
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TA = 25°C |
VALOR TÍPICO |
UNIDAD |
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|
VDS |
voltaje de la Dren-a-fuente |
– 20 |
V |
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Qg |
Total de la carga de la puerta (– 4,5 V) |
7,5 |
nC |
|
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Qgd |
Puerta de la carga de la puerta a drenar |
1,1 |
nC |
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RDS (encendido) |
Dren-a-fuente en resistencia |
VGS = – 1,8 V |
74 |
mΩ |
|
VGS = – 2,5 V |
13,3 |
mΩ |
||
|
VGS = – 4,5 V |
7,7 |
mΩ |
||
|
Vth |
Voltaje del umbral |
– 0,9 |
V |
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Información el ordenar (1)
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DISPOSITIVO |
QTY |
MEDIOS |
PAQUETE |
NAVE |
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CSD25402Q3A |
2500 |
carrete 13-Inch |
HIJO 3,3 milímetros de × paquete plástico de 3,3 milímetros |
Cinta y carrete |
|
CSD25402Q3AT |
250 |
carrete 7-Inch |
Grados máximos absolutos
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TA = 25°C |
VALOR |
UNIDAD |
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|
VDS |
voltaje de la Dren-a-fuente |
– 20 |
V |
|
VGS |
voltaje de la Puerta-a-fuente |
+12 o – 12 |
V |
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Identificación |
Corriente continua del dren, TC = 25°C |
– 76 |
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Corriente continua del dren (límite del paquete) |
– 35 |
|
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Corriente continua del dren (1) |
– 15 |
|
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IDM |
Corriente pulsada del dren (2) |
– 148 |
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Paladio |
Disipación de poder (1) |
2,8 |
W |
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Disipación de poder, TC = 25°C |
69 |
||
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TJ |
Temperatura de empalme de funcionamiento |
– 55 a 150 |
°C |
|
Tstg |
Temperatura de almacenamiento |
– 55 a 150 |
°C |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485