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Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > Transistores del Mosfet del poder de CSD18540Q5B RF, MOSFET de NexFET Pwr del circuito del Mosfet del canal N

Transistores del Mosfet del poder de CSD18540Q5B RF, MOSFET de NexFET Pwr del circuito del Mosfet del canal N

Transistores del Mosfet del poder de CSD18540Q5B RF, MOSFET de NexFET Pwr del circuito del Mosfet del canal N
Transistores del Mosfet del poder de CSD18540Q5B RF, MOSFET de NexFET Pwr del circuito del Mosfet del canal N
fabricante:
Fabricante
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Contact us
Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Modo del canal:
Aumento
Configuración:
Solo
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
2,2 mOhms
2,2 mOhms:
100 A
Punto culminante:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introducción

MOSFET 60V, MOSFET del transistor de poder del Mosfet de CSD18540Q5B de NexFET Pwr del canal N

Características 1

  • Qg y Qgd ultrabajos

  • Resistencia Bajo-termal

  • Avalancha clasificada

  • Galjanoplastia terminal sin plomo

  • RoHS obediente

  • Halógeno libre

  • HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros

2 usos

  • Conversión de DC-DC

  • Rectificador síncrono lateral secundario

  • Interruptor lateral primario aislado del convertidor

  • Control de motor

Descripción 3

Este 1,8 mΩ, MOSFET del poder de 60-V NexFETTM se diseña para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder con un HIJO 5 milímetros de × paquete de 6 milímetros.

Resumen del producto

TA = 25°C

VALOR TÍPICO

UNIDAD

VDS

Voltaje de la Dren-a-fuente

60

V

Qg

Total de la carga de la puerta (10 V)

41

nC

Qgd

Puerta-a-dren de la carga de la puerta

6,7

nC

RDS (encendido)

Dren-a-fuente en resistencia

VGS = 4,5 V

2,6

mΩ

VGS =10V

1,8

VGS (th)

Voltaje del umbral

1,9

V

Información del dispositivo

DISPOSITIVO

QTY

MEDIOS

PAQUETE

NAVE

CSD18540Q5B

2500

carrete 13-Inch

HIJO 5,00 milímetros de × paquete plástico de 6,00 milímetros

Cinta y carrete

CSD18540Q5BT

250

carrete 7-Inch

Grados máximos absolutos

TA = 25°C

VALOR

UNIDAD

VDS

Voltaje de la Dren-a-fuente

60

V

VGS

Voltaje de la Puerta-a-fuente

±20

V

Identificación

Corriente continua del dren (Package Limited)

100

Corriente continua del dren (Silicon Limited), TC = 25°C

205

Corriente continua del dren (1)

29

IDM

Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2)

400

Paladio

Disipación de poder (1)

3,8

W

Disipación de poder, TC = 25°C

188

TJ, Tstg

Empalme de funcionamiento, temperatura de almacenamiento

– 55 a 175

°C

EAS

Energía de la avalancha, sola identificación =80A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso

320

mJ
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