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Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > MOSFET del MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet del nivel de la lógica de CSD18534Q5A

MOSFET del MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet del nivel de la lógica de CSD18534Q5A

MOSFET del MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet del nivel de la lógica de CSD18534Q5A
MOSFET del MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet del nivel de la lógica de CSD18534Q5A
fabricante:
Fabricante
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Contact us
Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Modo del canal:
Aumento
Configuración:
Solo
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Empaquetado:
Corte la cinta
Marca:
Texas Instruments
Punto culminante:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introducción

MOSFET del MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet de CSD18534Q5A

Características 1

  • Qg y Qgd ultrabajos

  • Resistencia termal baja

  • Avalancha clasificada

  • Nivel de la lógica

  • Galjanoplastia terminal libre del Pb

  • RoHS obediente

  • Halógeno libre

  • HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros

2 usos

  • Conversión de DC-DC

  • Rectificador síncrono lateral secundario

  • Interruptor lateral primario aislado del convertidor

  • Control de motor

Descripción 3

Este 7,8 mΩ, 60 V, MOSFET del poder del milímetro NexFETTM del × 6 del HIJO 5 se diseñan para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder.

Resumen del producto

TA = 25°C

VALOR TÍPICO

UNIDAD

VDS

voltaje de la Dren-a-fuente

60

V

Qg

Total de la carga de la puerta (10 V)

17

nC

Qgd

Puerta-a-dren de la carga de la puerta

3,5

nC

RDS (encendido)

en-resistencia de la Dren-a-fuente

VGS = 4,5 V

9,9

mΩ

VGS =10V

7,8

mΩ

VGS (th)

Voltaje del umbral

1,9

V

Información el ordenar

DISPOSITIVO

QTY

MEDIOS

PAQUETE

NAVE

CSD18534Q5A

2500

carrete 13-Inch

HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros

Cinta y carrete

CSD18534Q5AT

250

carrete 7-Inch

Grados máximos absolutos

TA = 25°C

VALOR

UNIDAD

VDS

voltaje de la Dren-a-fuente

60

V

VGS

voltaje de la Puerta-a-fuente

±20

V

Identificación

Corriente continua del dren (paquete limitado)

50

Corriente continua del dren (silicio limitado), TC = 25°C

69

Corriente continua del dren, TA = 25°C (1)

13

IDM

Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2)

229

Paladio

Disipación de poder (1)

3,1

W

Disipación de poder, TC = 25°C

77

TJ, Tstg

Empalme de funcionamiento, temperatura de almacenamiento

– 55 a 150

°C

EAS

Energía de la avalancha, sola identificación =40A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso

80

mJ
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