Configuración baja del transistor de poder del Mosfet de la resistencia CSD13381F4 sola N-CH Pwr
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFET del MOSFET 12V N-CH Pwr del transistor de poder del Mosfet CSD13381F4
Características 1
- En-resistencia baja
-
Qg y Qgd bajos
-
Voltaje bajo del umbral
-
Ultra-pequeña huella (tamaño de 0402 casos)
– 1.0mm×0.6m m
-
Perfil ultrabajo
– 0,35 milímetros de altura
-
Diodo integrado de la protección del ESD
-
– >4 clasificado kilovoltio HBM
-
– >2 clasificado kilovoltio CDM
-
-
Ventaja y halógeno libres
-
RoHS obediente
2 usos
-
Optimizado para los usos del interruptor de la carga
-
Optimizado para los usos que cambian de fines generales
-
Usos de la batería unicelular
-
PDA y aplicaciones móviles
Descripción 3
Este 140 mΩ, tecnología del MOSFET de FemtoFETTM del canal N de 12 V se diseñan y se optimizan para minimizar la huella en muchos PDA y las aplicaciones móviles. Esta tecnología es capaz de substituir los pequeños MOSFETs estándar de la señal mientras que proporciona por lo menos una reducción del 60% de tamaño de huella.
Resumen del producto
|
TA = 25°C |
VALOR TÍPICO |
UNIDAD |
||
|
VDS |
Voltaje de la Dren-a-fuente |
12 |
V |
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|
Qg |
Total de la carga de la puerta (4,5 V) |
1060 |
PC |
|
|
Qgd |
Puerta-a-dren de la carga de la puerta |
140 |
PC |
|
|
RDS (encendido) |
En-resistencia de la Dren-a-fuente |
VGS = 1,8 V |
310 |
mΩ |
|
VGS = 2,5 V |
170 |
mΩ |
||
|
VGS = 4,5 V |
140 |
mΩ |
||
|
VGS (th) |
Voltaje del umbral |
0,85 |
V |
|
Información el ordenar
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Dispositivo |
Qty |
Medios |
Paquete |
Nave |
|
CSD13381F4 |
3000 |
carrete 7-Inch |
Femto (0402) 1,0 milímetros x 0,6 milímetros de ventaja de SMD menos |
Cinta y carrete |
|
CSD13381F4T |
250 |
Grados máximos absolutos
|
TA = 25°C salvo que se indique lo contrario |
VALOR |
UNIDAD |
|
|
VDS |
Voltaje de la Dren-a-fuente |
12 |
V |
|
VGS |
Voltaje de la Puerta-a-fuente |
8 |
V |
|
Identificación |
Corriente continua del dren, TA = 25°C (1) |
2,1 |
|
|
IDM |
Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2) |
7 |
|
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IG |
Corriente continua de la abrazadera de la puerta |
35 |
mA |
|
Corriente de la abrazadera de la puerta pulsada (2) |
350 |
||
|
Paladio |
Disipación de poder (1) |
500 |
mW |
|
Grado del ESD |
Modelo del cuerpo humano (HBM) |
4 |
kilovoltio |
|
Modelo cargado del dispositivo (CDM) |
2 |
kilovoltio |
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TJ, Tstg |
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento |
– 55 a 150 |
°C |
|
EAS |
Energía de la avalancha, solo pulso identificación = 7,4 A, L=0.1mH, RG =25Ω |
2,7 |
mJ |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485