Enviar mensaje
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Hogar
productos
fabricantes
Sobre nosotros
recursos
Envíe el RFQ
transferencia directa
Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > Transistor del Mosfet del canal N 2N7002LT1G, 115mA Mos Field Effect Transistor

Transistor del Mosfet del canal N 2N7002LT1G, 115mA Mos Field Effect Transistor

Transistor del Mosfet del canal N 2N7002LT1G, 115mA Mos Field Effect Transistor
Transistor del Mosfet del canal N 2N7002LT1G, 115mA Mos Field Effect Transistor
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte SOT-23-3 (TO-236) de la superficie 225mW (TA) del canal N 60 V 115mA (Tc)
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Contact us
Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Tipo de producto:
MOSFET
Subcategoría:
MOSFETs
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
7,5 ohmios
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
1 V
Punto culminante:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introducción

Canal N del MOSFET 60V 115mA del transistor de poder del Mosfet 2N7002LT1G

Características

• prefijo 2V para los usos automotrices y otros que requieren requisitos únicos del cambio del sitio y de control; AEC−Q101 calificó y PPAP capaz (2V7002L)

• Estos dispositivos son Pb−Free, halógeno Free/BFR libre y son RoHS obediente

GRADOS MÁXIMOS

Grado

Símbolo

Valor

Unidad

Voltaje de Drain−Source

VDSS

60

VDC

Voltaje de Drain−Gate (RGS = 1,0 MW)

VDGR

60

VDC

Drene actual
− continuo TC = 25°C (− de la nota 1) continuo TC = 100°C (− de la nota 1) pulsado (nota 2)

Identificación

IDENTIFICACIÓN IDM

± 800 del ± 75 del ± 115

mAdc

Voltaje de Gate−Source
− continuo
− Non−repetitive (ms del ≤ 50 del tp)

VGS VGSM

± 40 del ± 20

VDC Vpk

CARACTERÍSTICAS TERMALES

Característica

Símbolo

Máximo

Unidad

Tablero total de la disipación FR−5 del dispositivo (nota 3) TA = 25°C
Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

Resistencia termal, Junction−to−Ambient

Paladio RqJA

225 1,8 556

mW mW/°C °C/W

Disipación total del dispositivo
(El substrato del alúmina de la nota 4), TA = 25°C reduce la capacidad normal sobre 25°C

Resistencia termal, Junction−to−Ambient

Paladio RqJA

300 2,4 417

mW mW/°C °C/W

Temperatura del empalme y de almacenamiento

TJ, Tstg

− 55 a +150

°C
PRODUCTOS RELACIONADOS
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 existencias nuevas y originales

SKY65336-11 existencias nuevas y originales

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Imagen parte # Descripción
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 existencias nuevas y originales

SKY65336-11 existencias nuevas y originales
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
Contact us
Contáctenos
Dirección: Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Teléfono: 86-755-88367702
productos

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Conductor ICs del LED

Gestión ICs del poder

Chips de circuito integrado

Unidad de microcontrolador MCU

Conductor ICs de la exhibición

Módulo de potencia IGBT

Chips CI del amplificador
Sobre nosotros
Sobre nosotros Certificado del ISO Control de calidad Políticas de privacidad Centro de la ayuda
Políticas de privacidad | Buena calidad de China Chip CI de memoria Flash Proveedor. © de Copyright 2023-2024 icmemorychip.com . Todos los derechos reservados.