Circuito del interruptor del Mosfet de BSZ100N06LS3G 50 W, circuito de control del Mosfet TSDSON-8 OptiMOS 3
fabricante:
Fabricante
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
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Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Configuración:
Solo
Paladio - disipación de poder:
50W
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Fabricante:
Infineon
Categoría de producto:
MOSFET
Punto culminante:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
Introducción
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 del transistor de poder del Mosfet de BSZ100N06LS3G
Características
- Ideal para la transferencia y la sincronización de alta frecuencia. rec.
- Tecnología optimizada para los convertidores de DC/DC
- Canal N, nivel de la lógica
- la avalancha 100% probó
- galjanoplastia Pb-libre; RoHS obediente
- Calificado según JEDEC para los usos de la blanco
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