MOSFET N Ch 100V 100A TDSON-8 del transistor de poder del Mosfet de BSC046N10NS3G
fabricante:
Fabricante
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
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Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Configuración:
Solo
Paladio - disipación de poder:
156 W
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Modo del canal:
Aumento
Qg - carga de la puerta:
63 nC
Punto culminante:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Introducción
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 del transistor de poder del Mosfet de BSC046N10NS3G
Características
• Carga baja misma de la puerta para los usos de alta frecuencia
• Optimizado para la conversión de DC-DC
• Canal N, nivel normal
• Producto excelente de la carga x R DS de la puerta (encendido) (FOM)
• En-resistencia baja misma R DS (encendido)
• temperatura de funcionamiento de 150 °C
• galjanoplastia Pb-libre de la ventaja; RoHS obediente
• Calificado según JEDEC1) para el uso de la blanco • Halógeno-libre según IEC61249-2-21
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