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Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > Transistor de poder del Mosfet de CSD19532Q5B 100V 4,0 MOhm N-Ch NexFET

Transistor de poder del Mosfet de CSD19532Q5B 100V 4,0 MOhm N-Ch NexFET

Transistor de poder del Mosfet de CSD19532Q5B 100V 4,0 MOhm N-Ch NexFET
Transistor de poder del Mosfet de CSD19532Q5B 100V 4,0 MOhm N-Ch NexFET
Transistor de poder del Mosfet de CSD19532Q5B 100V 4,0 MOhm N-Ch NexFET
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal N 100 V 100A (TA) 3.1W (TA), 195W (Tc) soporte 8-VSON-CLIP (5x6) de la superficie
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Contact us
Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Modo del canal:
Aumento
Configuración:
Solo
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
Paladio - disipación de poder:
Paladio - disipación de poder
Punto culminante:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introducción

MOSFET del poder del N-Ch NexFET del mOhm del MOSFET 100V 4,0 del transistor de poder del Mosfet de CSD19532Q5B

Características 1

  • Resistencia termal baja

  • Avalancha clasificada

  • Galjanoplastia terminal Pb-libre

  • RoHS obediente

  • Halógeno libre

  • HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros

2 usos

  • Rectificador síncrono para los convertidores off-line y aislados de la C.C. DC

  • Control de motor

Descripción 3

Este 100 V, 4 mΩ, HIJO MOSFET del poder de 5 del milímetro milímetros NexFETTM del × 6 se diseñan para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder.

Resumen del producto

TA = 25°C

VALOR TÍPICO

UNIDAD

VDS

Voltaje de la Dren-a-fuente

100

V

Qg

Total de la carga de la puerta (10 V)

48

nC

Qgd

Puerta de la carga de la puerta a drenar

8,7

nC

RDS (encendido)

Dren-a-fuente en resistencia

VGS = 6 V

4,6

mΩ

VGS =10V

4

mΩ

VGS (th)

Voltaje del umbral

2,6

V

Información el ordenar (1)

Dispositivo

Medios

Qty

Paquete

Nave

CSD19532Q5B

carrete 13-Inch

2500

HIJO paquete plástico de 5 x 6 milímetros

Cinta y carrete

CSD19532Q5BT

carrete 13-Inch

250

Grados máximos absolutos

TA = 25°C

VALOR

UNIDAD

VDS

Voltaje de la Dren-a-fuente

100

V

VGS

Voltaje de la Puerta-a-fuente

±20

V

Identificación

Continuo drene actual (el paquete limitado)

100

Corriente continua del dren (silicio limitado), TC = 25°C

140

Corriente continua del dren (1)

17

IDM

Corriente pulsada del dren (2)

400

Paladio

Disipación de poder (1)

3,1

W

Disipación de poder, TC = 25°C

195

TJ, Tstg

Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento

– 55 a 150

°C

EAS

Energía de la avalancha, sola identificación =74A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso

274

mJ
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