8:1 550MHz de los ICs del interruptor del multiplexor de IC del interruptor de Ethernet ADG1208YRUZ-REEL7 iCMOS de 120 ohmios
ethernet transceiver ic
,fast ethernet switch chip
8:1 550MHz de los ICs del interruptor del multiplexor de IC del interruptor de Ethernet ADG1208YRUZ-REEL7 iCMOS de 120 ohmios
CARACTERÍSTICAS
- <1 pC="" charge="" injection="" over="" full="" signal="" range="" 1="" pF="" off="" capacitance="">
- Gama de la fuente de 33 V
- 120 Ω en resistencia
- Especificado completamente en ±15 V/+12 V
- 3 entradas compatibles de la lógica de V
- operación del Carril-a-carril
- Rotura-antes-haga la acción que cambia
- Disponible en 16 un avance TSSOP, 16 un avance LFCSP, y a
- 16-lead SOIC
- Consumo de energía típico < 0="">
USOS
- Sistemas de comunicación de muestreo y retención de encaminamiento audios y video de sistemas de los sistemas con pilas de adquisición de datos de los sistemas del equipo de prueba automática
DESCRIPCIÓN GENERAL
Los ADG1208 y los ADG1209 son multiplexores análogos monolíticos, del iCMOS del ® que comprenden ocho monocanales y cuatro canales del diferencial, respectivamente. El ADG1208 cambia una de ocho entradas a una salida común según lo determinado por las 3 líneas binarias A0, A1, y A2 de la dirección del pedazo. El ADG1209 cambia una de cuatro entradas diferenciadas a una salida diferenciada común como determinado por las 2 líneas binarias A0 y A1 de la dirección del pedazo. Una entrada del EN en ambos dispositivos permitir o inhabilitar el dispositivo. Cuando son discapacitados, se apagan todos los canales. Cuando encendido, cada canal conduce igualmente bien en ambas direcciones y tiene una gama de la señal de entrada que extienda a las fuentes.
El proceso de fabricación modular industrial del Cmos (iCMOS) combina el semiconductor de óxido metálico complementario de alto voltaje (Cmos) y tecnologías bipolares. Permite el desarrollo de una amplia gama de alto rendimiento ICs análogos capaz de la operación V 33 en una huella que no hay otra generación de dispositivos de alto voltaje alcanzar. A diferencia de los ICs análogos usando procesos convencionales del Cmos, los componentes del iCMOS pueden tolerar voltajes de alta fuente mientras que proporcionan el funcionamiento creciente, dramáticamente consumo de una energía más baja, y tamaño reducido del paquete.
La capacitancia ultrabaja y la inyección excepcionalmente baja de la carga de estos multiplexores les hacen las soluciones ideales para los usos de adquisición de datos y de muestreo y retención, donde se requieren la interferencia baja y el establecimiento rápido. El cuadro 2 muestra que hay inyección mínima de la carga sobre la gama entera de la señal del dispositivo. la construcción del iCMOS también asegura la disipación de poder ultrabaja, haciendo los dispositivos adecuados idealmente para los instrumentos portátiles y con pilas.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485