El interfaz IC LVDS de SN65LVDS1DBVR SN65LVDS2DBVR UART interconecta la línea de alta velocidad de la diferencia de IC
uart multiplexer ic
,uart level shifter ic
El interfaz IC LVDS de SN65LVDS1DBVR SN65LVDS2DBVR UART interconecta la línea de alta velocidad de la diferencia de IC
Características 1
- Cumple o excede el estándar del ANSI TIA/EIA-644
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Diseñado para señalar tarifas (1) hasta:
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– 630 Mbps para los conductores
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– 400 Mbps para los receptores
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Actúa desde un 2.4-V a la fuente 3.6-V
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Disponible en paquetes de SOT-23 y de SOIC
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El Autobús-terminal ESD excede 9 kilovoltios
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Señalización diferenciada de baja tensión con voltajes de salida típicos de 350 milivoltio en una carga 100-Ω
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Tiempos de retraso de propagación
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– conductor típico de 1,7 ns
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– receptor típico de 2,5 ns
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Disipación de poder en 200 megaciclos
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– conductor típico de 25 mW
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– receptor típico de 60 mW
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El receptor de LVDT incluye la línea terminación
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Bajo conductor llano Input Is 5 - V de TTL de la tensión (LVTTL) tolerante
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Conductor Is Output High-Impedance con VCC<1>
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La salida y las entradas del receptor son de alta impedancia con VCC < 1="">
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A prueba de averías de circuito abierto del receptor
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Umbral diferenciado del voltaje entrado menos de 100 milivoltio
2 usos
• Infraestructura inalámbrica
• Infraestructura de las telecomunicaciones
• Impresora
Descripción 3
Los dispositivos SN65LVDS1, SN65LVDS2, y SN65LVDT2 son línea conductores sola, de baja tensión, diferenciada y receptores en el paquete del transistor del pequeño-esquema. Las salidas cumplen con el estándar TIA/EIA-644 y proporcionar una magnitud diferenciada mínima del voltaje de salida de 247 milivoltio en una carga 100-Ω en la señalización de tarifas hasta 630 Mbps para los conductores y 400 Mbps para los receptores.
Cuando el dispositivo SN65LVDS1 se utiliza con un receptor de LVDS (tal como el SN65LVDT2) en una conexión de punto a punto, los datos o las señales de sincronización se pueden transmitir sobre rastros o cables del tablero del circuito impreso a las mismas altas tasas con las emisiones y el consumo de energía electromágneticos muy bajos. El empaquetado, la energía baja, la EMI baja, la alta tolerancia del ESD, y la gama ancha del voltaje de fuente hacen el ideal del dispositivo para los usos con pilas.
Los dispositivos SN65LVDS1, SN65LVDS2, y SN65LVDT2 se caracterizan para la operación – de 40°C a 85°C.
Información del dispositivo
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NÚMERO DE PARTE |
PAQUETE |
TAMAÑO DE CUERPO (NOM) |
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SN65LVDS1 |
SOIC (8) |
4,90 milímetros de × 3,91 milímetros |
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BORRACHÍN (5) |
2,90 milímetros de × 1,60 milímetros |
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SN65LVDS2 |
SOIC (8) |
4,90 milímetros de × 3,91 milímetros |
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BORRACHÍN (5) |
2,90 milímetros de × 1,60 milímetros |
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SN65LVDT2 |
SOIC (8) |
4,90 milímetros de × 3,91 milímetros |
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BORRACHÍN (5) |
2,90 milímetros de × 1,60 milímetros |
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