Almacenadores intermediarios y línea programables Tri St N-Invrt del ICS de la lógica CD74HCT541M96 de los conductores octal
logic integrated circuits
,programmable logic array ic
Almacenadores intermediarios y línea programables Tri St N-Invrt del ICS de la lógica CD74HCT541M96 de los conductores octal
Características
-
' HC540, CD74HCT540………………. Inversión
-
‘HC541,’ HCT541 ...................... No-inversión
-
Entradas protegidas
-
Salidas del Tres-estado
-
Línea de autobús capacidad de conducción
-
Retraso de propagación típico = 9ns en VCC = 5V, CL = 15pF, TA = 25oC
-
Fanout (sobre la gama de temperaturas)
-
- Salidas estándar…………… 10 cargas de LSTTL
-
- Conductor del autobús Outputs…………. 15 cargas de LSTTL
-
-
Gama de temperaturas ancha… -55oC de funcionamiento a 125oC
-
Retraso de propagación y tiempos de transición equilibrados
-
Reducción significativa del poder comparada a la lógica ICs de LSTTL
-
Tipos de HC
-
- 2V a la operación 6V
-
- Alta inmunidad de ruido: NADA el = 30%, NIH el = 30% de VCC
en VCC = 5V
-
-
Tipos de HCT
-
- 4.5V a la operación 5.5V
-
- LSTTL directo entró compatibilidad de la lógica,
VIL= 0.8V (máximo), VIH = 2V (minuto)
-
- El Cmos entró la compatibilidad, ≤ 1μA en el vol., VOH de IL
-
Descripción
Los ‘HC540 y los CD74HCT540 están invirtiendo los almacenadores intermediarios y la línea conductores octales con salidas del Tres-estado y la capacidad para conducir 15 cargas de LSTTL. Los’ HC541 y los ‘HCT541 son almacenadores intermediarios octales de inversión no- y la línea conductores con el Tres-estado Out- pone que puede conducir 15 cargas de LSTTL. La salida permite (OE1) y el control (OE2) las salidas del Tres-estado. Si u OE1 u OE2 es ALTO las salidas estarán en el alto estado del ance del imped-. Para la salida de datos OE1 y OE2 debe ser BAJO.
Información el ordenar
|
NÚMERO DE PARTE |
TEMPOREROS. GAMA (Oc) |
PAQUETE |
|
CD54HC540F3A |
-55 a 125 |
20 Ld CERDIP |
|
CD54HC541F3A |
-55 a 125 |
20 Ld CERDIP |
|
CD54HCT541F3A |
-55 a 125 |
20 Ld CERDIP |
|
CD74HC540E |
-55 a 125 |
20 Ld PDIP |
|
CD74HC540M |
-55 a 125 |
20 Ld SOIC |
|
CD74HC540M96 |
-55 a 125 |
20 Ld SOIC |
|
CD74HC541E |
-55 a 125 |
20 Ld PDIP |
|
CD74HC541M |
-55 a 125 |
20 Ld SOIC |
|
CD74HC541M96 |
-55 a 125 |
20 Ld SOIC |
|
CD74HC541PW |
-55 a 125 |
20 Ld TSSOP |
|
CD74HC541PWR |
-55 a 125 |
20 Ld TSSOP |
|
CD74HCT540E |
-55 a 125 |
20 Ld PDIP |
|
CD74HCT540M |
-55 a 125 |
20 Ld SOIC |
|
CD74HCT540M96 |
-55 a 125 |
20 Ld SOIC |
|
CD74HCT541E |
-55 a 125 |
20 Ld PDIP |
|
CD74HCT541M |
-55 a 125 |
20 Ld SOIC |
|
CD74HCT541M96 |
-55 a 125 |
20 Ld SOIC |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485