IOS programable de los LABORATORIOS 544 del ICS Arria V GX 13688 de la lógica 5AGXFB3H4F35I5
logic integrated circuits
,programmable logic array ic
IOS programable de los LABORATORIOS 544 del ICS Arria V GX 13688 de la lógica 5AGXFB3H4F35I5
- Resumen de las características para los dispositivos de Arria V
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Tecnología de proceso de los 28 nanómetro de TSMC:
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Proceso de la energía baja de Arria V GX, de GT, de SX, y de ST-28-nm (28LP)
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Proceso del alto rendimiento de Arria V GZ-28-nm (28HP)
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El poder estático más bajo en su clase (menos de 1,2 W para los elementos de lógica 500K (LEs) en
empalme 85°C bajo condiciones típicas)
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Voltaje nominal de la base de 0,85 V, de 1,1 V, o de 1,15 V
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Empaquetado compuesto termal del microprocesador de tirón BGA
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Densidades múltiples del dispositivo con las huellas idénticas del paquete para la migración inconsútil
entre diversas densidades del dispositivo
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Plomado (1), sin plomo (Pb-libre), y RoHS-obedientes opciones
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8 entrada aumentada ALM con cuatro registros
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Mejorado encaminando arquitectura para reducir la congestión y para mejorar tiempo de compilación
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Bloques de memoria de M10K-10-kilobits (Kb) con el código de la corrección del error de programa (ECC) (dispositivos de Arria V GX, de GT, de SX, y del ST únicos)
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Bloques de memoria de M20K-20-Kb con ECC duro (dispositivos de Arria V GZ únicos)
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El bloque del arsenal de lógica de la memoria (MLAB) - 640-bit distribuyó LUTRAM donde usted puede
uso el hasta 50% de las limosnas como memoria de MLAB
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485