Traductor programable del Vltg-nivel de los niveles voltaicos 8B Bidir del ICS de la lógica de TXB0108DQSR
logic integrated circuits
,programmable logic array ic
Traductor programable del Vltg-nivel de los niveles voltaicos 8B Bidir del ICS de la lógica de TXB0108DQSR
Características 1
- puerto de 1.2Vto3.6VonAPortand1.65Vto5.5Von B (≤ VCCB de VCCA)
-
VCC característica del aislamiento – si cualquier entrada VCC está en la tierra, todas las salidas están en el estado de alta impedancia
-
OE entró el circuito referido a VCCA
-
Bajo consumo de energía, 4 μA ICC máximo
-
Ioff apoya la operación del modo del Parcial-poder-Abajo
-
El funcionamiento del cierre-Para arriba excede 100 mA por JESD 78, clase II
-
La protección del ESD excede JESD 22
2 usos
-
Microteléfono
-
Smartphone
-
Tableta
-
PC de sobremesa
Descripción 3
Este traductor noninverting de 8 bits utiliza dos carriles configurables separados de la poder-fuente. El puerto de A se diseña para seguir VCCA. VCCA acepta cualquier voltaje de fuente a partir de 1,2 V a 3,6 V. El puerto de B se diseña para seguir VCCB. VCCB acepta cualquier voltaje de fuente a partir de 1,65 V a 5,5 V. Esto permite la traducción bidireccional de baja tensión universal entre los nodos del voltaje un de los 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, y 5-V. VCCA no debe exceder VCCB.
Cuando salida-permita la entrada (OE) es baja, todas las salidas se coloca en el estado de alta impedancia.
Se diseña El TXB0108 de modo que el circuito de entrada de OE sea suministrado por VCCA.
Este dispositivo se especifica completamente para los usos del parcial-poder-abajo usando Ioff. El conjunto de circuitos de Ioff inhabilita las salidas, previniendo dañando la expulsión actual a través del dispositivo cuando se acciona abajo.
Para asegurar el estado de alta impedancia durante ciclo inicial o poder-abajo, OE se debe atar a la tierra a través de un resistor de la desconexión; el valor mínimo del resistor es determinado por la capacidad de la actual-compra de componentes del conductor.
Información del dispositivo
|
NÚMERO DE PARTE |
PAQUETE |
TAMAÑO DE CUERPO (NOM) |
|
TXB0108 |
TVSOP (20) |
5,00 milímetros x 4,40 milímetros |
|
HIJO (20) |
2,00 milímetros x 4,00 milímetros |
|
|
JOVEN DE BGA MICROSTAR (20) |
2,50 milímetros x 3,00 milímetros |
|
|
TSSOP (20) |
6,50 milímetros x 4,40 milímetros |
|
|
VQFN (20) |
4,50 milímetros x 3,50 milímetros |
|
|
DSGBA (20) |
1,90 milímetros x 2,40 milímetros |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485