La señal abierta de BPort del dren del ICS de la lógica programable del estado de TXS0101DCKR 3 necesitó
programmable computer chip
,logic integrated circuits
Niveles voltaicos programables 1B Bidirec Vltg- Lev Translator del ICS de la lógica de TXS0101DCKR
Características 1
- El funcionamiento del cierre-Para arriba excede 100 mA por JESD 78, clase II
- La protección del ESD excede JESD 22
- – APort
- – Modelo del Humano-cuerpo de 2500 V (A114-B)
- – Modelo de máquina de 200 V (A115-A)
- – Modelo del Cargar-dispositivo de 1500 V (C101)
- – BPort
- – modelo del Humano-cuerpo de 8 kilovoltios (A114-B)
- – Modelo de máquina de 200 V (A115-A)
- – Modelo del Cargar-dispositivo de 1500 V (C101)
- Ninguna señal del Dirección-control necesitó
- Tarifas de datos máximas
- – 24 Mbps (de vaivén)
- – 2 Mbps (dren abierto)
- Disponible en el paquete de Texas Instruments NanoFreeTM
- puerto 1.65Vto3.6VonAportand2.3Vto5.5VonB (≤ VCCB de VCCA)
- VCC característica del aislamiento – si cualquier entrada VCC está en la tierra, ambos puertos están en el estado de alta impedancia
- Ninguna secuencia de la Poder-fuente requerida – VCCA o VCCB puede ser en rampa primero
- Ioff apoya la operación del modo del Parcial-poder-Abajo
2 usos
- Microteléfonos
- Smartphones
- Tabletas
- PC de escritorio
Descripción 3
Este traductor de no-inversión del uno-pedazo utiliza dos carriles configurables separados de la poder-fuente. El puerto de A se diseña para seguir VCCA. VCCA acepta cualquier voltaje de fuente a partir de 1,65 V a 3,6 V. El puerto de B se diseña para seguir VCCB. VCCA debe ser inferior o igual VCCB. VCCB acepta cualquier voltaje de fuente a partir de 2,3 V a 5,5 V. Esto permite la traducción bidireccional de la baja tensión entre 1,8 V uces de los, 2,5 V, 3,3 V, y 5 nodos del voltaje de V.
Cuando salida-permita la entrada (OE) es baja, todas las salidas se coloca en el estado de alta impedancia.
Para asegurar el estado de alta impedancia durante poder encima o poder de abajo, OE se debe atar a la tierra a través de un resistor del tirón-abajo; el valor mínimo del resistor es determinado por la capacidad de la actual-compra de componentes del conductor.
Información del dispositivo
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NÚMERO DE PARTE |
PAQUETE |
TAMAÑO DE CUERPO (NOM) |
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TXS0101DBV |
SOT-23 (6) |
2,90 milímetros de × 1,60 milímetros |
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TXS0101DCK |
SC70 (6) |
2,00 milímetros de × 1,25 milímetros |
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TXS0101DRL |
SOT-5X3 (6) |
1,90 milímetros de × 1,60 milímetros |
|
TXS0101YZP |
DSBGA (6) |
0,89 milímetros de × 1,39 milímetros |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485