Los amplificadores de la precisión de IC del amplificador de potencia audio de TLC277IDR se doblan sola fuente de la precisión
digital audio amplifier ic
,audio preamplifier ic
Los amplificadores de la precisión de IC del amplificador de potencia audio de TLC277IDR se doblan sola fuente de la precisión
Descripción (continua)
|
TA |
VIOmax EN el°C 25 |
DISPOSITIVOS EMBALADOS |
FORMA DEL MICROPROCESADOR (Y) |
||||
|
PEQUEÑO ESQUEMA (D) |
PORTADOR DE MICROPROCESADOR (FK) |
INMERSIÓN DE CERÁMICA (JG) |
INMERSIÓN PLÁSTICA (P) |
TSSOP (PICOVATIO) |
|||
|
0°C a 70°c |
500 μV 2 milivoltio 5 milivoltio 10mV |
TLC277CD TLC272BCD TLC272ACD TLC272CD |
— — — — |
— — — — |
TLC277CP TLC272BCP TLC272ACP TLC272CP |
— |
— |
|
– 40°C a 85°C |
500 μV 2 milivoltio 5 milivoltio 10 milivoltio |
TLC277ID TLC272BID TLC272AID TLC272ID |
— — — — |
— — — — |
TLC277IP TLC272BIP TLC272AIP TLC272IP |
— — — — |
— — — — |
El paquete de D es haber grabado disponible y haber aspado. Añada el sufijo de R al tipo de dispositivo (e.g., TLC277CDR).
En general, muchas características asociadas a tecnología bipolar están disponibles en los amplificadores operativos del de LinCMOS sin las penas del poder de la tecnología bipolar. Los usos generales tales como interconexión del transductor, cálculos análogos, bloques del amplificador, filtros activos, y proteger de señal se diseñan fácilmente con el TLC272 y el TLC277. Los dispositivos también exhiben la operación de la solo-fuente de la baja tensión, haciéndolos adecuados idealmente para los usos con pilas remotos e inaccesibles. La gama de voltaje de entrada del común-modo incluye el carril negativo.
Una amplia gama de opciones de empaquetado están disponibles, incluyendo las versiones del pequeño-esquema y del portador de microprocesador para los usos de sistema de alta densidad.
Las entradas y las salidas del dispositivo se diseñan para soportar – sobretensiones 100-mA sin el cierre-para arriba de mantenimiento.
Los TLC272 y los TLC277 incorporan los circuitos internos que previenen fracasos funcionales en los voltajes hasta 2000 V probados tan debajo de MIL-STD-883C, método 3015,2 de la ESD-protección; sin embargo, el cuidado se debe ejercitar en la manipulación de estos dispositivos como exposición al ESD puede dar lugar a la degradación del funcionamiento paramétrico del dispositivo.
Los dispositivos del C-sufijo se caracterizan para la operación de 0°C a 70°C. Los dispositivos del Yo-sufijo se caracterizan para la operación – de 40°C a 85°C. Los dispositivos del M-sufijo se caracterizan para la operación sobre la gama de temperaturas militar completa – de 55°C a 125°C.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485