Referencia de la deriva 3.9uA Vltg de las referencias 30ppm/C del voltaje de IC de la gestión de la trayectoria del poder de REF3320AIDBZR
battery charge management ic
,power management integrated circuit
Referencia de la deriva 3.9uA Vltg de las referencias 30ppm/C del voltaje de IC de la gestión de la trayectoria del poder de REF3320AIDBZR
Características 1
- Paquetes de Microsize: SC70-3, SOT-23-3, UQFN-8
-
Corriente baja de la fuente: μA 3,9 (tipo)
-
Extremadamente - voltaje bajo del marginado: 110 milivoltio (tipo)
-
Corriente de alto rendimiento: ±5 mA
-
Deriva de la baja temperatura: 30 ppm/°C (máximos)
-
Alta exactitud inicial: el ±0.15% (máximo)
-
0.1-Hz al ruido 10-Hz: μVPP 35 (REF3312)
-
Opciones del voltaje: 1,2 V, 1,8 V, 2,5 V, 3 V, 3,3 V
2 usos
-
Equipo portátil
-
Tabletas y smartphones
-
Unidades de disco duro
-
Módulos del sensor
-
Sistemas de adquisición de datos
-
Equipamiento médico
-
Equipo de prueba
Descripción 3
El REF33xx es un de baja potencia, una precisión, familia de la referencia del voltaje del bajo-marginado disponible en los paquetes minúsculos SC70-3 y SOT-23-3, y en 1,5 un paquete del milímetro UQFN-8 del × 1,5 del milímetro. Tamaño pequeño y bajo consumo de energía (5-μA máximo) hacer el ideal de REF33xx para una amplia variedad de usos portátiles y con pilas.
El REF33xx se puede actuar en un voltaje de fuente 180 milivoltio sobre el voltaje de salida especificado bajo condiciones de carga normal, a excepción del REF3312, que tiene un voltaje de fuente mínimo de 1,7 V. Todos los modelos se especifican para la gama de temperaturas ancha – de 40°C a +125°C.
Información del dispositivo
|
NÚMERO DE PARTE |
PAQUETE |
TAMAÑO DE CUERPO (NOM) |
|
REF33xx |
SOT-23 (3) |
2,92 milímetros de × 1,30 milímetros |
|
SC70 (3) |
2,00 milímetros de × 1,25 milímetros |
|
|
UQFN (8) |
1,50 milímetros de × 1,50 milímetros |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485