Referencias 3.3V Prec Micropwr LDO VRef bajo del voltaje de IC de la gestión de la trayectoria del poder REF196GSZ-REEL7
power management integrated circuit
,microchip battery management
Referencias 3.3V Prec Micropwr LDO VRef bajo del voltaje de IC de la gestión de la trayectoria del poder REF196GSZ-REEL7
CARACTERÍSTICAS
- Coeficiente de temperatura: corriente de alto rendimiento máxima de 5 ppm/°C: 30 mA
- Corriente baja de la fuente: máximo de 45 μA
- Exactitud inicial: ±2 milivoltio maximum1
- Modo de sueño: voltaje bajo del marginado del máximo de 15 μA
- Regulación de la carga: línea regulación de 4 ppm/mA: protección del cortocircuito de 4 ppm/V
USOS
- Instrumentos portátiles
- ADC y DACs
- Sensores elegantes
- Los usos accionados solares Lazo-actual-accionaron los instrumentos
DESCRIPCIÓN GENERAL
Las referencias del voltaje de hueco de banda de la precisión de la serie de REF19x utilizan un recorte patentado del circuito y del laser de la corrección de la curvatura de la deriva de la temperatura de los resistores altamente estables, fino-película para alcanzar un coeficiente de la temperatura muy baja y una alta exactitud inicial.
La serie de REF19x se compone de la microfuerza, dispositivos bajos del voltaje del marginado (LDV), proporcionando el voltaje de salida estable de las fuentes de hasta sólo 100 milivoltio sobre el voltaje de salida y consumiendo menos el μA de 45 de la corriente de la fuente. En el modo de sueño, que es permitido aplicando un nivel bajo de TTL o del Cmos al perno del SUEÑO, la salida se da vuelta de y la corriente de la fuente se reduce más a fondo menos al μA de 15.
Las referencias de la serie de REF19x se especifican sobre la gama de temperaturas industrial extendida (−40°C a +85°C) con especificaciones de funcionamiento típicas sobre −40°C a +125°C para los usos, tales como automotriz.
Todos los grados eléctricos están disponibles en 8 un paquete de la ventaja SOIC; los paquetes de PDIP y de TSSOP están disponibles solamente en el grado eléctrico más bajo.
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