Conductores CSD97395Q4M High Frq Syn Buck NexFET de la puerta de CSD97395Q4M Power Path Management IC
battery charge management ic
,power management integrated circuit
Conductores CSD97395Q4M High Frq Syn Buck NexFET de la puerta de CSD97395Q4M Power Path Management IC
Características 1
- Sobre eficacia de sistema del 92% en 15 A
-
Max Rated Continuous Current 25 A, pico 60 A
-
Operación de alta frecuencia (hasta 2 megaciclos)
-
Alta densidad – HIJO 3,5 milímetros de × huella de 4,5 milímetros
-
Paquete ultrabajo de la inductancia
-
Huella Sistema-optimizada del PWB
-
(ULQ) modo actual quieto ultrabajo
-
3,3 V y 5 señal de V PWM compatible
-
Modo de emulación del diodo con FCCM
-
Voltajes entrados hasta 24 V
-
PWM de triple estado entró
-
Diodo integrado de Bootsrap
-
Lanzamiento con la protección
-
RoHS obediente – galjanoplastia terminal sin plomo
-
Halógeno libre
2 usos
• Ultrabook/convertidores del cuaderno DC/DC
• Vcore polifásico y soluciones de RDA
• Dólar síncrono de la Punto-de-carga en establecimiento de una red, telecomunicaciones, y sistemas de cálculo
Descripción 3
La etapa del poder de CSD97395Q4M NexFETTM es un diseño altamente optimizado para el uso en un convertidor síncrono de alta potencia, de alta densidad del dólar. Este producto integra el conductor IC y la tecnología de NexFET para terminar la función de transferencia de la etapa del poder. El conductor IC tiene una función a elección incorporada de la emulación del diodo que permita a la operación de DCM mejorar eficacia de carga ligera. Además, el conductor IC apoya el modo de ULQ que permite el recurso seguro conectado para Windows® 8. Con la entrada de PWM en corriente de triple estado, quieta se reduce al μA 130, con respuesta inmediata. Cuando SKIP# se sostiene en de triple estado, la corriente se reduce al μA 8 (típicamente 20 μs se requieren para reanudar el cambiar). Esta combinación produce una eficacia de gran intensidad, alta, y un dispositivo que cambia de alta velocidad en un pequeño × 3,5 paquete del esquema de 4,5 milímetros. Además, la huella del PWB se optimiza para ayudar a reducir tiempo de diseño y a simplificar la realización del diseño de sistemas total.
Información del dispositivo
NÚMERO DE ORDEN |
PAQUETE |
MEDIOS Y QTY |
CSD97395Q4M |
× del HIJO 3,5 paquete plástico de 4,5 milímetros |
13-inch carrete 2500 |
CSD97395Q4MT |
7-inch carrete 250 |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485
