Protección IC de la gestión Li-Ion/Li Polymer Batt de la batería de IC de la gestión de la trayectoria del poder de BQ29700DSET
battery charge management ic
,power management integrated circuit
Protección IC de la gestión Li-Ion/Li Polymer Batt de la batería de IC de la gestión de la trayectoria del poder de BQ29700DSET
Características 1
- Gama de voltaje entrado Pack+: VSS – 0,3 V a 12 V • Impulsión del FET:
– Salida de la impulsión del FET de CHG y de DSG
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La tensión detección a través de los FETs externos para la protección de la sobreintensidad de corriente (OCP) está dentro de ±5 el milivoltio (típico)
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Detección de falta
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– Detección del cargo excesivo (OVP)
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– Detección de la Sobre-descarga (UVP)
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– Detección de la sobreintensidad de corriente de la carga (OCC)
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– Detección de la sobreintensidad de corriente de la descarga (OCD)
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– Detección del cortocircuito de la carga (SCP)
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Voltaje cero que carga para la batería agotada
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Umbrales programados fábrica de la protección de la falta
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– Critique los umbrales del voltaje de la detección
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– Contadores de tiempo del disparador de la falta
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– Contadores de tiempo de la recuperación de falta
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El modo de operación sin el cargador de batería permitió
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– Modo NORMAL ICC = μA 4
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– Cierre índice de inteligencia = nA 100
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Gama de temperaturas de funcionamiento TA = – 40°C a +85°C
2 usos
• Tablet PC
• Microteléfono móvil
• Terminales de los datos del PDA
Descripción 3
El dispositivo de protección de la célula de batería bq2970 proporciona un umbral exacto del monitor y del disparador para la protección de la sobreintensidad de corriente durante condiciones del cargo excesivo de la alta descarga/de la operación actual o de la batería de carga.
El dispositivo bq2970 proporciona las funciones de la protección para las células de Li-Ion/Li-Polymer, y los monitores a través de los FETs de la alimentación externa para la protección debido a la alta carga o corrientes derivadas. Además, hay cargo excesivo y supervisión y protección agotadas de la batería. Estas características se ejecutan con el consumo de poca intensidad en la operación del modo NORMAL.
Información del dispositivo
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NÚMERO DE PARTE |
PAQUETE |
TAMAÑO DE CUERPO (NOM) |
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bq2970, bq2971, bq2972, bq 2973(2) |
WSON (6) |
1,50 milímetros de × 1,50 milímetros |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485