Reguladores de transferencia de IC de la gestión de la trayectoria del poder de TPS53219ARGTR Vin ancho, paso Cntrlr de la sincronización de Sgl del Eco-modo
power management integrated circuit
,battery charge management ic
Reguladores de transferencia de IC de la gestión de la trayectoria del poder de TPS53219ARGTR Vin ancho, paso Cntrlr de la sincronización de Sgl del Eco-modo
Características 1
- Gama de voltaje de entrada de la conversión: 3 V a 28 V
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VDD entró la gama de voltaje: 4,5 V a 25 V
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Gama del voltaje de salida: 0,6 V a 5,5 V
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Gama ancha de la carga de la salida: 0 A a > 20 A
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Referencia incorporada 0.6-V (el ±0.8%)
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Regulador de voltaje linear incorporado de LDO
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Auto-salto Eco-ModeTM para la eficacia de la luz-carga
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Modo de D-CAPTM con respuesta del carga-paso de 100 ns
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Arquitectura puntual adaptante del control con 8 ajustes a elección de la frecuencia
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detección actual de 4700ppm/°C RDS (encendido)
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comienzo suave del servo interno a elección del voltaje de 0.7-ms, de 1,4 ms, de 2,8 ms y de 5,6 ms
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Capacidad de lanzamiento precargada
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Descarga incorporada de la salida
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poder-buena salida del Abierto-dren
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Interruptor integrado del alza
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OVP/UVP/OCP incorporado
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Cierre termal (no-cierre)
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3-milímetro de × 3 milímetro QFN, paquete 16-Pin (RGT)
2 usos
• Ordenadores del almacenamiento
• Servidores
• Impresoras multifuncionales
• Computación Embedded
Descripción 3
El dispositivo de TPS53219A es solo regulador pequeño del dólar con control puntual adaptante del modo de D-CAP. El dispositivo es conveniente para el voltaje de salida bajo, el carril de gran intensidad, de la PC del sistema del poder y las fuentes de alimentación similares de la de-carga del punto (POLÍTICO) en productos de consumo digitales. El pequeño paquete y el espacio mínimo de la reserva de la perno-cuenta en el PWB, mientras que el perno dedicado del EN y las selecciones preestablecidas de la frecuencia simplificar el diseño de la fuente de alimentación. El modo del salto en las condiciones de carga ligeras, los conductores fuertes de la puerta, y la detección actual del FET RDS del bajo-lado (encendido) apoya eficacia de pequeñas pérdidas y alta, sobre una gama amplia de la carga. La gama del voltaje de entrada de la conversión (alto voltaje del dren del FET del lado) está entre 4,5 V y 25 V, y la gama del voltaje de salida está entre 0,6 V y 5,5 V. El TPS53219A está disponible en 16 un perno, paquete de QFN especificó – de 40°C a +85°C.
Información del dispositivo
NÚMERO DE PARTE | PAQUETE | TAMAÑO DE CUERPO (NOM) |
TPS53219A | QFN (16) | 3,00 milímetros de × 3,00 milímetros |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485
