Reguladores de voltaje de IC de la gestión de la trayectoria del poder de TPS56221DQPR que cambian 4.5-14Vinp, 25A alto Crnt Synch descender
microchip battery management
,power management integrated circuit
Reguladores de voltaje de IC de la gestión de la trayectoria del poder de TPS56221DQPR que cambian 4.5-14Vinp, 25A alto Crnt Synch descender
Características 1
- 4.5-V a 14-V entró la gama de voltaje
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Incorpora tecnología del bloque de poder
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Hasta actual de salida 25-A
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Opciones de frecuencia fija de 300 kilociclos, de 500 kilociclos, y de 1 megaciclo
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Detección del MOSFET RDS del Alto-lado y del Bajo-lado (encendido)
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Suave-principio programable
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voltaje de la referencia 600-mV con la exactitud del 1%
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Control del modo del voltaje con Alimentación-delantero
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Apoya la salida de Prebiased
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Cierre termal
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22-Pin 5 paquete del milímetro PQFN PowerPADTM del × 6 del milímetro
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Para la documentación de productos del poder de SWIFTTM, vea http://www.ti.com/swift
2 usos
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Módulos de poder de la Punto-de-carga (POLÍTICO)
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Convertidores de alta densidad de DC-DC para los usos de las telecomunicaciones y del establecimiento de una red
Descripción 3
El dispositivo TPS56221 es un convertidor síncrono de gran eficacia y de gran intensidad del dólar diseñado para actuar desde una fuente a partir de 4,5 V a 14 V. El dispositivo puede producir un voltaje de salida de hasta sólo 0,6 V en las cargas hasta 25 A. Integrated NexFETTM que los MOSFETs del poder proporcionan una pequeñas huella y facilidad de empleo.
El dispositivo ejecuta un control del voltaje-modo con la remuneración alimentación-delantera del voltaje que responde inmediatamente al cambio del voltaje de entrada.
El TPS56221 está disponible en 22 un paquete termalmente aumentado del perno PQFN (DQP) PowerPAD.
El dispositivo ofrece flexibilidad del diseño con una variedad de funciones programables del usuario, incluyendo suave-principio, niveles de la protección de la sobreintensidad de corriente (OCP), y la remuneración del lazo. Los niveles de OCP son programados por un solo resistor externo conectado del perno de ILIM con la tierra del circuito. Durante la inicial poder-en secuencia, el dispositivo incorpora un ciclo de la calibración, medidas el voltaje en el perno de ILIM, y fija un nivel voltaico interno de OCP. Durante la operación, el nivel voltaico programado de OCP se compara a la caída de voltaje a través del FET del bajo-lado cuando está prendido determinar si hay una condición de la sobreintensidad de corriente. Entonces incorpora un ciclo del cierre/del recomienzo hasta que se quite la falta.
Información del dispositivo
NÚMERO DE PARTE | PAQUETE | TAMAÑO DE CUERPO (NOM) |
TPS56221 | LSON-CLIP (22) | 6,00 milímetros de × 5,00 milímetros |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485
