Reguladores de voltaje de IC de la gestión de la trayectoria del poder de TPS54622RHLR que cambian 4.5-17Vin, 6A Syn Step Down Cnvrtr
microchip battery management
,power management integrated circuit
Reguladores de voltaje de IC de la gestión de la trayectoria del poder de TPS54622RHLR que cambian 4.5-17Vin, 6A Syn Step Down Cnvrtr
Características 1
- Integrado 26 mΩ y 19 MOSFETs del mΩ
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Carril partido del poder: 1,6 V a 17 V en PVIN
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200-kHz a la frecuencia que cambia 1.6-MHz
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Sincroniza al reloj externo
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temperatura excesiva de la referencia del voltaje de 0.6V el ±1%
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Límite actual del hipo
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Arranque monotónico en las salidas de Prebiased
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– 40°C a la gama de temperaturas de empalme del funcionamiento 150°C
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Comienzo y secuencia de poder lentos ajustables
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Buen monitor de la salida del poder para el Undervoltage y la sobretensión
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Cierre entrado ajustable del Undervoltage
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Para la documentación de SWIFTTM, visita
http://www.ti.com/swift
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Cree crean para requisitos particulares usando el TPS54622 con el diseñador del poder de WEBENCH®
2 usos
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Sistemas eléctricos distribuidos de alta densidad
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Regulación de alto rendimiento de la Punto-de-carga
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Banda ancha, establecimiento de una red, e infraestructura de comunicaciones ópticas
Descripción 3
El dispositivo TPS54622 en 3,5 paquete termalmente aumentado del milímetro VQFN del × 3,5 del milímetro es un 17-V completamente equipado, convertidor descender síncrono 6-A optimizado para los pequeños diseños con eficacia alta y la integración del alto-lado y de los MOSFETs del bajo-lado. Ahorros de espacio más futuros son alcanzados con el control actual del modo, que reduce cuenta componente, y seleccionando una alta frecuencia que cambia, reduciendo la huella del inductor.
La rampa de lanzamiento del voltaje de salida es controlada por el perno de SS/TR, que permite la operación como fuente de alimentación independiente o en situaciones de seguimiento. La secuencia de poder es también posible por correctamente el configuración permitir y pernos del poder del abierto-dren los buenos.
la limitación actual del Ciclo-por-ciclo en el FET del alto-lado protege el dispositivo en situaciones de la sobrecarga y es aumentada por un límite actual de la compra de componentes del bajo-lado que prevenga fugitivo actual. Hay también un bajo-lado que hunde el límite actual que da vuelta del MOSFET del bajo-lado para prevenir la corriente reversa excesiva. Se acciona la protección del hipo si la condición de la sobreintensidad de corriente ha persistido para más largo que la hora preestablecida. La protección termal del hipo inhabilita el dispositivo cuando la temperatura del dado excede la temperatura termal del cierre y permite la pieza otra vez después del tiempo termal incorporado del hipo del cierre.
Información del dispositivo
NÚMERO DE PARTE | PAQUETE | TAMAÑO DE CUERPO (NOM) |
TPS54622 | VQFN (14) | 3,50 milímetros de × 3,50 milímetros |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485
