St de los reguladores de voltaje de IC de la gestión de la trayectoria del poder de TPS54620RGYR que cambia 4.5-17Vin 6A Synch abajo de SWIFT Cnvtr
microchip battery management
,power management integrated circuit
St de los reguladores de voltaje de IC de la gestión de la trayectoria del poder de TPS54620RGYR que cambia 4.5-17Vin 6A Synch abajo de SWIFT Cnvtr
Características 1
- Integrado 26 mΩ y 19 MOSFETs del mΩ
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Carril partido del poder: 1,6 V a 17 V en PVIN
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200-kHz a la frecuencia que cambia 1.6-MHz
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Sincroniza al reloj externo
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0,8 temperaturas excesivas de la referencia del voltaje de V el ±1%
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Corriente quieta del cierre bajo de 2 μA
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Arranque monotónico en las salidas de Prebiased
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– 40°C a la gama de temperaturas de empalme del funcionamiento 150°C
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Comienzo y secuencia de poder lentos ajustables
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Buen monitor de la salida del poder para el Undervoltage y la sobretensión
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Cierre entrado ajustable del Undervoltage
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Para la documentación de SWIFTTM, visita
http://www.ti.com/swift
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Cree crean para requisitos particulares usando el TPS54620 con el diseñador del poder de WEBENCH
2 usos
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Sistemas eléctricos distribuidos de alta densidad
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Punto del alto rendimiento de la regulación de la carga
Descripción 3
El TPS54620 en 3,50 paquete termalmente aumentado del milímetro QFN del × 3,50 del milímetro es un 17-V completamente equipado, 6-A, el convertidor síncrono, descender que se optimiza para los pequeños diseños con eficacia alta y la integración del alto-lado y de los MOSFETs del bajo-lado. Ahorros de espacio más futuros son alcanzados con el control actual del modo, que reduce cuenta componente, y seleccionando una alta frecuencia que cambia, reduciendo la huella del inductor.
La rampa de lanzamiento del voltaje de salida es controlada por el perno de SS/TR que permite la operación como fuente de alimentación independiente o en situaciones de seguimiento. La secuencia de poder es también posible por correctamente el configuración permitir y pernos del poder del abierto-dren los buenos.
la limitación actual del Ciclo-por-ciclo en el FET del alto-lado protege el dispositivo en situaciones de la sobrecarga y es aumentada por un límite actual de la compra de componentes del bajo-lado que prevenga fugitivo actual. Hay también un bajo-lado que hunde el límite actual que da vuelta del MOSFET del bajo-lado para prevenir la corriente reversa excesiva. El cierre termal inhabilita la pieza cuando muere la temperatura excede temperatura termal del cierre.