Microprocesador del cargador de batería de la baja tensión de DRV8837CDSGR, conductor multi del puente de Li Ion Charger Circuit H de la célula
battery charge management ic
,power management integrated circuit
Conductor de baja tensión 8-WSON -40 a 85 del H-puente de los conductores 1A de IC de la gestión de la trayectoria del poder de DRV8837CDSGR
Características 1
- Conductor del motor del H-puente
– Conduce un motor de DC u otras cargas
– En-resistencia baja del MOSFET: HS + LS 1 Ω
- corriente de impulsión máxima 1-A
- 0- a la gama de funcionamiento del Fuente-voltaje 11-V
- Interfaz estándar de PWM (IN1/IN2)
- Modo de sueño de baja potencia con la corriente máxima del sueño 120-nA
– perno del nSLEEP
- Pequeño paquete y huella
– 8 WSON (con el cojín termal)
– 2.0×2.0m m
- Características de protección
– Cierre del Undervoltage VCC (UVLO)
– Protección de la sobreintensidad de corriente (OCP)
– Cierre termal (TSD)
2 usos
-
Cámaras
-
Lentes de DSLR
-
Productos de consumo
-
Juguetes
-
Robótica
-
Aparatos médicos
Descripción 3
El dispositivo de DRV8837C proporciona una solución integrada del conductor del motor para las cámaras, los productos de consumo, los juguetes, y otros usos de baja tensión o con pilas del control de movimiento. El dispositivo puede conducir un motor de DC u otros dispositivos como los solenoides. El conductor de la salida que el bloque consiste en los MOSFETs del poder del canal N configuró como H-puente para conducir la bobina del motor. Una bomba de carga interna genera voltajes necesarios de la impulsión de la puerta.
El dispositivo de DRV8837C puede suministrar hasta 1 A de actual de salida. El dispositivo actúa encendido un voltaje de fuente de alimentación del motor de 0 a 11 V, y la lógica de control puede actuar en 1.8-V a los carriles 5-V.
El dispositivo de DRV8837C tiene un interfaz de entrada de PWM (IN/IN).
Las funciones internas del cierre se proporcionan para la protección de la sobreintensidad de corriente, la protección del cortocircuito, el cierre del undervoltage, y la temperatura excesiva.
Información del dispositivo
NÚMERO DE PARTE |
PAQUETE |
TAMAÑO DE CUERPO (NOM) |
DRV8837C |
WSON (8) |
2,00 milímetros de × 2,00 milímetros |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

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Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485
