Enviar mensaje
Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > Regulador IC, alto voltaje entrado de la carga de la batería de BQ25606RGER -40 a 85 de Li Ion Charger IC

Regulador IC, alto voltaje entrado de la carga de la batería de BQ25606RGER -40 a 85 de Li Ion Charger IC

fabricante:
Fabricante
Descripción:
BATERÍA CHG 1CELL LI-ION 24VQFN DE IC
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Pls contact us
Forma de pago:
Paypal, Western Union, TT
Especificaciones
Voltaje de salida:
4,2 V a 4,4 V
Corriente de salida:
3 A
Voltaje de fuente de funcionamiento:
3,9 V a 13,5 V
Tipo de producto:
Gestión de la batería
Garantía:
90days después de enviar
Punto culminante:

microchip battery management

,

power management integrated circuit

Introducción

Trayectoria 24-VQFN -40 a 85 del voltaje entrado y del poder de IC de la gestión de la trayectoria del poder de BQ25606RGER alta

Características 1

  • De gran eficacia, 1.5-MHz, modo síncrono Buck Charger del interruptor

– La eficacia de la carga del 92% en 2 A de 5-V entró

– Optimizado para la entrada del voltaje del USB (5 V)

  • Ayudas USB en camino (OTG)

– Convertidor del alza con hasta la salida 1.2-A

– Eficacia del alza del 92% en la salida 1-A

– Límite exacto de Constant Current (cc)

– Suave-principio carga capacitiva de hasta 500 μF

– Protección del cortocircuito de la salida

  • Sola entrada para apoyar la entrada del USB y los adaptadores de alto voltaje

– La ayuda 3.9-V a 13.5-V entró la gama de voltaje con el grado máximo del voltaje entrado del absoluto 22-V

– Poder máximo que sigue por límite del voltaje entrado hasta 4,6 V (VINDPM)

– El umbral de VINDPM sigue automáticamente voltaje de la batería

– El auto detecta USB SDP, DCP y adaptadores no estándar

  • Alta eficacia de la descarga de la batería con MOSFET 19,5 de la descarga de la batería del mΩ

  • Gestión de la trayectoria del poder del VDC del estrecho (NVDC)

– Inmediato-en trabajos sin la batería o la batería profundamente descargada

– Operación ideal del diodo en modo del suplemento de la batería

  • La alta integración incluye todos los MOSFETs, detección actual y remuneración del lazo

  • corriente baja de la salida de la batería 58-μA con el recurso seguro del voltaje de sistema

  • Alta exactitud

– Carga Voltage Regulation del ±0.5%
– el ±6% en la corriente de carga 1.2-A y 1.8-A

  • Regulación

– el ±5% en 0.5-A, 1.2-A y 1.8-A entraron la regulación actual

Cree crean para requisitos particulares usando el bq25606 con el diseñador del poder de WEBENCH®

2 usos

  • EPOS, altavoces portátiles, E-cigarrillo

  • Dispositivos y accesorio portátiles de Internet

Descripción 3

El dispositivo bq25606 un dispositivo independiente alto-integrado de la gestión de la carga de la batería del interruptor-modo 3.0-A y de la gestión de la trayectoria del poder del sistema para la batería Li-Ion y del Li-polímero unicelular. La trayectoria de baja impedancia del poder optimiza eficacia de operación del interruptor-modo, reduce tiempo de la carga de batería y amplía vida de batería durante la descarga de fase.

Información del dispositivo

NÚMERO DE PARTE

PAQUETE

TAMAÑO DE CUERPO (NOM)

bq25606

VQFN (24)

4,00 milímetros de × 4,00 milímetros

PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 existencias nuevas y originales

SKY65336-11 existencias nuevas y originales

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
Contact us