VISHAY
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Introducción
VISHAY
Los productos más nuevos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Diodo de transferencia rápido del caso de RoHS SOD123 SOT23 1N4148W-E3-08 |
Soporte superficial SOD-123 del diodo 75 V 150mA
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CÉSPED de LL42-GS08 30V 200mA - 80 diodos de Schottky de la señal |
Soporte superficial SOD-80 MiniMELF del diodo 30 V 200mA
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Voltaje VISHAY del pilar del poder de pulso máximo SMBJ170A-E3/52 600W 17V |
275V soporte superficial DO-214AA (SMBJ) del diodo de la abrazadera 2.2A Ipp TV
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IRFP9240 Rectificador de propósito general Diodo P canal con 150W a través del agujero |
P-canal 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Canal IRFP9240PBF del Mosfet 12A 200V P del poder de TO-247 VISHAY |
P-canal 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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VO1400AEFTR Transistor de efecto de campo nuevo y original |
SPST-NO de estado sólido (1 forma A) 4-SOP (0,173", 4.40m m)
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VS-60CPQ150PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Cátodo común de array de diodos 150 V 30A de 1 par a través del agujero TO-247-3
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VS-36MB160A Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Estándar la monofásico del puente rectificador terminal D-34 del control de calidad de 1,6 kilovolti
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IRF640PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
N-canal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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IRF620PBF Transistor de efecto de campo NUEVO Y ORIGINAL |
N-canal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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MBRB10100-E3/8W Nuevo y original |
Diodo 100 V 10A montado en la superficie TO-263AB (D2PAK)
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-HFA25PB60PBF |
El diodo 600 V 25A a través del agujero TO-247AC se modificó
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE TCMT1107 |
El transistor del aislador óptico hizo salir 3750Vrms 1 el canal 4-SOP
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE 1N5245B-TAP |
Diodo Zener 15 V 500 mW el ±5% a través del agujero DO-35 (DO-204AH)
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SUD17N25-165-E3 |
Canal N 250 V 17A (Tc) 3W (TA), soporte TO-252AA de la superficie 136W (Tc)
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IRF620PBF Transistor de efecto de campo NUEVO Y ORIGINAL |
N-canal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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VS-63CPQ100PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Diodo 1 par de cátodo común 100 V 30A a través del agujero TO-247-3
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IRF9540PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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IRF9640STRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 200 V 11A (Tc) 3W (TA), 125W (Tc) ² PAK (TO-263) del soporte D de la superficie
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IRF9630PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-canal 200 V 6.5A (Tc) 74W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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VS-ETH1506S-M3 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial TO-263AB (² PAK del diodo 600 V 15A de D)
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VO0630T Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Optoisolador de salida lógica de 10 MBd de drenaje abierto 4000Vrms 2 canales 1kV/μs CMTI 8-SOIC
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IRF640PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
N-canal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-HFA25TB60PBF |
Diodo 600 V 25A a través del agujero TO-220AC
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PDTC144ET Diodo de chip nuevo y original |
Transistores bipolares prebiasados (BJT)
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V40150C-E3/4W Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Cátodo común de array de diodos 150 V 20A de 1 par a través del agujero TO-220-3
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRF830BPBF |
Canal N 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE S3D-E3/57T |
Soporte superficial DO-214AB (SMC) del diodo 200 V 3A
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SI3456DDV-T1-GE3 |
Canal N 30 V 6.3A (Tc) 1.7W (TA), soporte 6-TSOP de la superficie 2.7W (Tc)
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SUP85N03-04P-E3 |
Canal N 30 V 85A (Tc) 3.75W (TA), 166W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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