Semi / Semi catalizador
Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Tubo NPT TO-264 de la soldadora de FGL40N120ANDTU 40A 1200V solo IGBT |
IGBT NPT 1200 V 64 A 500 W a través del agujero TO-264-3
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Foso IGBT 25A 1200V de FGA25N120ANTD TO-3P NPT |
IGBT NPT y foso 1200 V 50 A 312 W a través del agujero TO-3P
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Reguladores de voltaje de MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener |
Soporte superficial SOD-123 del diodo Zener 15 V 500 mW el ±5%
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Supresores transitorios del voltaje de SMBJ18A DO-214AA SMBJ Transzorb |
Diodo del Ipp TV de la abrazadera
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Soporte superficial del diodo 225mW SOT−23 de los reguladores de voltaje de BZX84C12LT1G Zener |
Soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) del diodo Zener 12 V 250 mW el ±5%
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Rectificadores ultrarrápidos 100−600V del poder del modo 16A del interruptor de MUR1620CTG |
Cátodo común de array de diodos 200 V 8A de 1 par a través del agujero TO-220-3
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Transistores bipolares TO-3P de NJW0281G 50W NPN PNP |
Transistor bipolar (BJT) NPN 250 V 15 A 30 MHz 150 W Orificio pasante TO-3P-3L
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Diodo paralelo anti 43A 1200V de HGTG11N120CND NPT GBT Hyperfast |
IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W a través del agujero TO-247-3
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Reguladores rápidos IC MC33340P de la batería de la carga 4.0mV 18V DIP8 |
Multi-química 8-PDIP de IC del cargador
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MT4producción de productos agrícolas |
CMOS con procesador sensor de imagen 1600H x 1200V 2.8μm x 2.8μm 48-CLCC (14.22x14.22)
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AR0330CS1C12SPKA0-CP IC de memoria flash nuevo y original |
Sensor de imagen CMOS 2304H x 1536V 2,2 μm x 2,2 μm 64-CSP (6.28x6.65)
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BAT54HT1G Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Soporte superficial SOD-323 del diodo 30 V 200mA
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BAT54SLT1G Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Soporte de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie de la conexión de serie de 1 p
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BAT54A Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Soporte superficial común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 del ánodo 30 V 200mA de 1 par
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CAT24C08WI-GT3 IC de memoria flash nuevo y original |
² C 400 kilociclo 900 ns 8-SOIC de IC 8Kbit I de la memoria de EEPROM
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CAT25040P IC de memoria flash nuevo y original |
Memoria IC 4Kbit SPI 8-PDIP de EEPROM
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MC14551BCPG Chip de circuito integrado electrónico Multiplexador analógico de dos canales |
4 Interruptor de circuito integrado 2:1 280 Ohm 16-PDIP
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TIL117M Componentes electrónicos Chip de circuito integrado y memoria de programación |
Transistor de aislamiento óptico con salida de base 7500Vpk 1 canal 6-DIP
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Fototransistor en doble canal de MOCD213M 2500Vrms SOIC8 |
El transistor del aislador óptico hizo salir 2500Vrms 2 el canal 8-SOIC
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Circuito de detección del Undervoltage de la INMERSIÓN TO92 10mA IC MC34064P-5RAG |
Dren abierto o canal abierto TO-92 (TO-226) del supervisor del colector 1
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Transistor del silicio del poder medio 0.5A 300V 20W NPN de MJE340G |
Transistor bipolar (BJT) NPN 300 V 500 mA 20 W a través del agujero TO-126
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Rectificadores ultrarrápidos del poder del soporte superficial de IC de la gestión del poder de MURS260T3G |
Soporte superficial SMB del diodo 600 V 2A
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Amplificadores operativos duales de la sola fuente de IC de la gestión del poder de LM358DR2G |
Amplificador de propósito general 2 circuitos 8-SOIC
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Eliminación del bucle de tierra de IC Chip Logic Gate Optocouplers For del ordenador de HCPL0600R2 10bps |
Canal abierto 5kV/µs CMTI 8-SOIC del colector 3750Vrms 1 del aislador óptico 10Mbps de la salida de
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Positivo del recorte regulador del alza de MC34063ADR2G/1.25V ajustable negativo |
Dólar, recorte regulador salida ajustable positiva o negativa 1.25V 1 1.5A de IC del alza (interrupt
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diodo MM3Z18VT1G de los reguladores de voltaje de 200mW 18V SOD−323 Zener |
Soporte superficial SOD-323 del diodo Zener 18 V 300 mW el ±6%
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La lógica 74OL6011 hizo salir el colector abierto del aislador del acoplador óptico de alta velocidad opto de IC 15MBd |
El colector abierto del aislador óptico 15MBd de la salida de la lógica, Schottky afianzó 5300Vrms 1
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Circuito integrado Chip Schottky Clamped 5kV/µS CMTI 6-DIP de 74OL6010 5300Vrms |
El colector abierto del aislador óptico 15MBd de la salida de la lógica, Schottky afianzó 5300Vrms 1
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Reguladores de Chip High Performance Current Modded del circuito integrado de UC3845BD1R2G |
El alza, positivo del regulador del tiempo de retorno, salida capaz del aislamiento eleva, eleva/reg
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Diodo rectificador de tipo puente 1N4007 de 50 a 1000 voltios 1,0 amperes |
Diodo 1000 V 1A a través del agujero DO-41
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Diodos Zener de vidrio de silicio pasivados de 1,0 Watt Diodos Zener de vidrio pasivados de unión Diodo Zener de silicio 1n4733A |
Diodo Zener 5,1 V 1 W el ±5% a través del agujero DO-41
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NDT456P Transistor de efecto de campo con diodo rectificador de modo de mejora de canal P |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las em
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TIP127 ALCANZAS nuevas y originales |
Transistor bipolar (BJT) PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W a través del agujero TO-220
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FMS6141S5X IC de memoria flash nuevo y original |
El controlador de video IC SC-70-5 paquete
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FOD2742B IC de memoria flash nuevo y original |
El transistor del aislador óptico hizo salir 2500Vrms 1 el canal 8-SOIC
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FSUSB30MUX IC de memoria flash nuevo y original |
Interruptor IC del USB 1 canal 10-MSOP
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CAT25040P IC de memoria flash nuevo y original |
Memoria IC 4Kbit SPI 8-PDIP de EEPROM
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CAT25040S-TE13 IC de memoria flash nuevo y original |
IC de memoria EEPROM 4Kbit SPI 10 MHz 40 ns 8-SOIC
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CAT25C08VI IC de memoria flash nuevo y original |
Memoria IC 8Kbit SPI de EEPROM 10 megaciclos 8-SOIC
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CAT25010YI-GT3 IC de memoria flash nuevo y original |
Memoria IC 1Kbit SPI 8-TSSOP de EEPROM
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BAV102 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial SOD-80 del diodo 150 V 200mA
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Transistor de efecto de campo BAV20 nuevo y original |
Diodo 200 V 200mA a través del agujero DO-35
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Transistor de efecto de campo BAV21 nuevo y original |
Diodo 250 V 200mA a través del agujero DO-35
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BCP56 ALCANZAS NUEVAS y originales |
Soporte superficial bipolar SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
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BCP69 ALCANZAS nuevas y originales |
Soporte superficial bipolar SOT-223-4 del transistor (BJT) PNP 20 V 1,5 A 1 W
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero, que es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Transistor bipolar (BJT) NPN 80 V 1 un soporte superficial SOT-223 (TO-261) de 130MHz 1,5 W
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MJD127T4G ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP - Darlington 100 V 8 un soporte superficial 1,75 de 4MHz W DPAK
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo KSC2073 |
Transistor bipolar (BJT) NPN 150 V 1,5 un 4MHz 25 W a través del agujero TO-220-3
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Transistor de efecto de campo BAV23CLT1G |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 250 V 400 mA Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BCP54 ACTUALIZACIÓN de las existencias nuevas y originales |
Soporte superficial bipolar SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 45 V 1,5 A 1,5 W
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