Configuración de los transistores de poder del silicio del MOSFET IRF740PBF del poder sola
npn smd transistor
,silicon power transistors
CARACTERÍSTICAS
• Grado dinámico de dV/dt
• Avalancha repetidor clasificada
• Transferencia rápida
• Facilidad de ser paralelo a
• Requisitos simples de la impulsión
• Ventaja (Pb) - disponible libre
DESCRIPCIÓN
Los MOSFETs del poder de la tercera generación de Vishay proporcionan
diseñador con la mejor combinación de transferencia rápida,
diseño construido sólidamente del dispositivo, en-resistencia baja y
rentabilidad.
El paquete TO-220 se prefiere universal para todos
usos comercial-industriales en la disipación de poder
niveles a aproximadamente 50 W. La resistencia termal baja
y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuye a su ancho
aceptación en la industria.
°C TÍPICO de las CARACTERÍSTICAS 25, a menos que se indicare en forma diferente