Mosfet audio planar epitaxial 2SB1560, del poder del silicio PNP
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Mosfet audio planar epitaxial 2SB1560, del poder del silicio PNP
DarliCM GROUPon 2SB1560
Transistor planar epitaxial del silicio PNP (complemento para mecanografiar 2SD2390)
PIN | DESCRIPCIÓN |
1 | Base |
2 | Colector; conectado con montaje de la base |
3 | Emisor |
SÍMBOLO | PARÁMETRO | CONDICIONES | VALOR | UNIDAD |
VCBO | voltaje de la Colector-base | Emisor abierto | -160 | V |
VCEO | voltaje del Colector-emisor | Base abierta | -150 | V |
VEBO | voltaje de la Emisor-base | Colector abierto | -5 | V |
IC | Corriente de colector | -10 | ||
IB | Corriente baja | 1 | ||
PC | Disipación de poder del colector | TC =25℃ | 100 | W |
Tj | Temperatura de empalme | 150 | ℃ | |
Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55~150 | ℃ |
SÍMBOLO | PARÁMETRO | CONDICIONES | MINUTO | TIPO. | Max | UNIDAD |
CEO DE V (BR) | voltaje de avería del Colector-emisor | IC =-30mA; IB =0 | -150 | V | ||
VCEsat | voltaje de saturación del Colector-emisor | IC =-7A; IB =-7mA | -2,5 | V | ||
VBEsat | Voltaje de saturación del emisor de base | IC =-7A; IB =-7mA | -3,0 | V | ||
ICBO | Corriente de atajo de colector | VCB =-160V; IE =0 | -100 | μA | ||
IEBO | Corriente del atajo del emisor | VEB =-5V; IC =0 | -100 | μA | ||
hFE | Aumento actual de DC | IC =-7A; VCE =-4V | 5000 | |||
Mazorca | Capacitancia de salida | IE =0; VCB =10V; f=1MHz | 230 | PF | ||
pie | Frecuencia de la transición | IC =-2A; VCE =-12V | 50 | Megaciclo | ||
Épocas que cambian | ||||||
tonelada | Tiempo de abertura |
IC =-7A; RL =10Ω |
0,8 | μs | ||
ts | Tiempo de almacenamiento | 3,0 | μs | |||
tf | Tiempo de caída | 1,2 | μs |
O | P | Y |
5000-12000 | 6500-20000 | 15000-30000 |
ESQUEMA DEL PAQUETE