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Introducción

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Los productos más nuevos
Imagen parte # Descripción fabricante Común RFQ
PIMN31,115 Transistores equipados con resistencia NPN / PNP 500 MA 50V Transistores de doble puerta

PIMN31,115 Transistores equipados con resistencia NPN / PNP 500 MA 50V Transistores de doble puerta

Transistores bipolares pre-biasados (BJT) 2 NPN - Pre-biasados (doble) 50V 500mA 420mW Monte de supe
BAT120C,115 BESO NUEVO Y ORIGINAL

BAT120C,115 BESO NUEVO Y ORIGINAL

Soporte común de array de diodos TO-261-4, TO-261AA de la superficie del cátodo 25 V 1A (DC) de 1 pa
BCP51-16,115 ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL

BCP51-16,115 ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL

Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 A 145MHz 1 W Montaje de superficie SOT-223
2N7002BKS,115 STOCK NUEVO Y ORIGINAL

2N7002BKS,115 STOCK NUEVO Y ORIGINAL

Soporte superficial 295mW 6-TSSOP del arsenal 60V 300mA (TA) del Mosfet
74LVC2G66GD,125 El stock nuevo y original

74LVC2G66GD,125 El stock nuevo y original

2 1:1 10Ohm 8-XSON (2x3) del interruptor de IC del circuito
74LVC74APW, 118 existencias nuevas y originales

74LVC74APW, 118 existencias nuevas y originales

D-tipo 1 borde positivo 14-TSSOP (0,173", anchura del elemento de Flip Flop 2 del pedazo de 4.40m m)
74LVT14PW,112 ALCANZAS nuevas y originales

74LVT14PW,112 ALCANZAS nuevas y originales

Disparador 14-TSSOP de Schmitt del canal de IC 6 del inversor
74LVT14PW, 118 ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL

74LVT14PW, 118 ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL

Disparador 14-TSSOP de Schmitt del canal de IC 6 del inversor
74AVC8T245PW:112 IC de memoria flash nuevo y original

74AVC8T245PW:112 IC de memoria flash nuevo y original

Transceptor de traducción 1 elemento 8 bits por elemento Salida de 3 estados 24-TSSOP
PHD97NQ03LT,118 Diodo de chip nuevo y original

PHD97NQ03LT,118 Diodo de chip nuevo y original

Soporte DPAK de la superficie 107W (Tc) del canal N 25 V 75A (Tc)
Diodo de chip BCV47-QVL nuevo y original

Diodo de chip BCV47-QVL nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 mA soporte superficial TO-236AB de 250 mW
PMN45EN,135 Diodo de chip nuevo y original

PMN45EN,135 Diodo de chip nuevo y original

Soporte 6-TSOP de la superficie 1.75W (Tc) del canal N 30 V 5.2A (Tc)
Diodo de chip BC857W-QF nuevo y original

Diodo de chip BC857W-QF nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
PESD5V0F1BL,315 Diodo de alto voltaje nuevo y original

PESD5V0F1BL,315 Diodo de alto voltaje nuevo y original

15V soporte superficial DFN1006-2 del diodo de la abrazadera 2.5A (8/20µs) Ipp TV
PUMT1 Diodo de chip nuevo y original

PUMT1 Diodo de chip nuevo y original

Soporte superficial bipolar 6-TSSOP del arsenal 2 PNP 40V (dual) 100mA 100MHz 300mW del transistor (
Diodo de chip BAV70SRAZ nuevo y original

Diodo de chip BAV70SRAZ nuevo y original

El soporte común 6-XFDFN de la superficie del cátodo 100 V 355mA (DC) 2 de los pares de array de dio
BZA968A,115 Diodo de alta corriente nuevo y original

BZA968A,115 Diodo de alta corriente nuevo y original

Soporte superficial SOT-665 del diodo del Ipp TV de la abrazadera
Diodo de alto voltaje nuevo y original

Diodo de alto voltaje nuevo y original

Soporte común de array de diodos TO-261-4, TO-261AA de la superficie del cátodo 25 V 1A (DC) de 1 pa
PDZ3.3B,115 Diodo de alto voltaje nuevo y original

PDZ3.3B,115 Diodo de alto voltaje nuevo y original

Soporte superficial SOD-323 del diodo Zener 3,3 V 400 mW el ±2%
PMLL4448,135 Diodo de alta potencia nuevo y original

PMLL4448,135 Diodo de alta potencia nuevo y original

Soporte superficial LLDS del diodo 75 V 200mA; MiniMelf
BAW56S,135 Transistor de efecto de campo nuevo y original

BAW56S,135 Transistor de efecto de campo nuevo y original

Matriz de diodos Ánodo común de 2 pares 90 V 250 mA (CC) Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-3
BC807,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original

BC807,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original

Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 80MHz soporte superficial TO-236AB de 250 mW
BAT721C,215 BESO NUEVO Y ORIGINAL

BAT721C,215 BESO NUEVO Y ORIGINAL

Soporte común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie del cátodo 40 V 200mA (D
BAT721S,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original

BAT721S,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original

Soporte de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie de la conexión de serie de 1 p
BAT74,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original

BAT74,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original

2 30 soporte independiente de array de diodos TO-253-4, TO-253AA de la superficie de V 200mA (DC)
BAT74,235 Transistor de efecto de campo nuevo y original

BAT74,235 Transistor de efecto de campo nuevo y original

2 30 soporte independiente de array de diodos TO-253-4, TO-253AA de la superficie de V 200mA (DC)
BAT74S/S500X Transistores de efecto de campo NUEVO Y ORIGINAL

BAT74S/S500X Transistores de efecto de campo NUEVO Y ORIGINAL

Soporte superficial de array de diodos TO-253-4, TO-253AA de 30 V
BAT74S,135 Transistor de efecto de campo nuevo y original

BAT74S,135 Transistor de efecto de campo nuevo y original

2 30 soporte independiente de array de diodos 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de la superficie de V 200mA (D
BAT74S,115 Transistor de efecto de campo nuevo y original

BAT74S,115 Transistor de efecto de campo nuevo y original

2 30 soporte independiente de array de diodos 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de la superficie de V 200mA (D
BAT 754S,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original

BAT 754S,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original

Soporte de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie de la conexión de serie de 1 p