Nexperia
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
PIMN31,115 Transistores equipados con resistencia NPN / PNP 500 MA 50V Transistores de doble puerta |
Transistores bipolares pre-biasados (BJT) 2 NPN - Pre-biasados (doble) 50V 500mA 420mW Monte de supe
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT120C,115 BESO NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte común de array de diodos TO-261-4, TO-261AA de la superficie del cátodo 25 V 1A (DC) de 1 pa
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCP51-16,115 ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 A 145MHz 1 W Montaje de superficie SOT-223
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
2N7002BKS,115 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial 295mW 6-TSSOP del arsenal 60V 300mA (TA) del Mosfet
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
74LVC2G66GD,125 El stock nuevo y original |
2 1:1 10Ohm 8-XSON (2x3) del interruptor de IC del circuito
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
74LVC74APW, 118 existencias nuevas y originales |
D-tipo 1 borde positivo 14-TSSOP (0,173", anchura del elemento de Flip Flop 2 del pedazo de 4.40m m)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
74LVT14PW,112 ALCANZAS nuevas y originales |
Disparador 14-TSSOP de Schmitt del canal de IC 6 del inversor
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
74LVT14PW, 118 ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL |
Disparador 14-TSSOP de Schmitt del canal de IC 6 del inversor
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
74AVC8T245PW:112 IC de memoria flash nuevo y original |
Transceptor de traducción 1 elemento 8 bits por elemento Salida de 3 estados 24-TSSOP
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
PHD97NQ03LT,118 Diodo de chip nuevo y original |
Soporte DPAK de la superficie 107W (Tc) del canal N 25 V 75A (Tc)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
Diodo de chip BCV47-QVL nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 mA soporte superficial TO-236AB de 250 mW
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
PMN45EN,135 Diodo de chip nuevo y original |
Soporte 6-TSOP de la superficie 1.75W (Tc) del canal N 30 V 5.2A (Tc)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
Diodo de chip BC857W-QF nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
PESD5V0F1BL,315 Diodo de alto voltaje nuevo y original |
15V soporte superficial DFN1006-2 del diodo de la abrazadera 2.5A (8/20µs) Ipp TV
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
PUMT1 Diodo de chip nuevo y original |
Soporte superficial bipolar 6-TSSOP del arsenal 2 PNP 40V (dual) 100mA 100MHz 300mW del transistor (
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
Diodo de chip BAV70SRAZ nuevo y original |
El soporte común 6-XFDFN de la superficie del cátodo 100 V 355mA (DC) 2 de los pares de array de dio
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BZA968A,115 Diodo de alta corriente nuevo y original |
Soporte superficial SOT-665 del diodo del Ipp TV de la abrazadera
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
Diodo de alto voltaje nuevo y original |
Soporte común de array de diodos TO-261-4, TO-261AA de la superficie del cátodo 25 V 1A (DC) de 1 pa
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
PDZ3.3B,115 Diodo de alto voltaje nuevo y original |
Soporte superficial SOD-323 del diodo Zener 3,3 V 400 mW el ±2%
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
PMLL4448,135 Diodo de alta potencia nuevo y original |
Soporte superficial LLDS del diodo 75 V 200mA; MiniMelf
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAW56S,135 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Matriz de diodos Ánodo común de 2 pares 90 V 250 mA (CC) Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-3
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BC807,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 80MHz soporte superficial TO-236AB de 250 mW
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT721C,215 BESO NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie del cátodo 40 V 200mA (D
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT721S,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie de la conexión de serie de 1 p
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT74,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
2 30 soporte independiente de array de diodos TO-253-4, TO-253AA de la superficie de V 200mA (DC)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT74,235 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
2 30 soporte independiente de array de diodos TO-253-4, TO-253AA de la superficie de V 200mA (DC)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT74S/S500X Transistores de efecto de campo NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial de array de diodos TO-253-4, TO-253AA de 30 V
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT74S,135 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
2 30 soporte independiente de array de diodos 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de la superficie de V 200mA (D
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT74S,115 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
2 30 soporte independiente de array de diodos 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de la superficie de V 200mA (D
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT 754S,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie de la conexión de serie de 1 p
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT 754L,115 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
3 30 soporte independiente de array de diodos 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de la superficie de V 200mA (D
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT760Z Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial SOD-323 del diodo 20 V 1A
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAT 760,115 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial SOD-323 del diodo 20 V 1A
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAV170 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie del cátodo 85 V 125mA (D
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCX53,146 Diodo de chip nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 80 V 1 un soporte superficial SOT-89 de 145MHz 1,3 W
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
1PS76SB40,135 Diodo de alta corriente nuevo y original |
Soporte superficial SOD-323 del diodo 40 V 120mA
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
PESD12VS1UL,315 Diodo de chip nuevo y original |
35V soporte superficial DFN1006-2 del diodo de la abrazadera 5A (8/20µs) Ipp TV
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
PHK31NQ03LT Diodo de chip nuevo y original |
Arsenal del Mosfet
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
PDZ10BGWX Diodo de alta potencia nuevo y original |
Soporte superficial SOD-123 del diodo Zener 10 V 365 mW el ±2.2%
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAV23,235 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
2 200 soporte independiente de array de diodos TO-253-4, TO-253AA de la superficie de V 225mA (DC)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAV23,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
2 200 soporte independiente de array de diodos TO-253-4, TO-253AA de la superficie de V 225mA (DC)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
Transistor de efecto de campo BAV23A-QR |
Soporte superficial común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 del ánodo 200 V 225mA de 1 pa
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAV70S,115 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Matriz de diodos 2 pares Cátodo común 100 V 250 mA (CC) Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-36
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCX51-10F HISTORÍA NUEVA Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 A 145 MHz 500 mW Montaje en superficie SOT-89
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX51-16TF |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 A soporte superficial SOT-89 de 500 mW
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX51-16,135 |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 un soporte superficial SOT-89 de 145MHz 1,3 W
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX52-10TF |
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 1 A soporte superficial SOT-89 de 500 mW
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX51-16,115 |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 un soporte superficial SOT-89 de 145MHz 1,3 W
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BCX52-10,115 |
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 1 un soporte superficial SOT-89 de 145MHz 1,3 W
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAV23A,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Ánodo común 200 V 225 mA (CC) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
Nexperia
|
|
|