PIMN31,115 Transistores equipados con resistencia NPN / PNP 500 MA 50V Transistores de doble puerta
fabricante:
Nexperia
Descripción:
Transistores bipolares pre-biasados (BJT) 2 NPN - Pre-biasados (doble) 50V 500mA 420mW Monte de supe
Categoría:
Componentes electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Especificaciones
Categorías:
Transistores - bipolares (BJT) - órdenes, Pre-en polarización negativa
Actual - colector (Ic) (máximo):
500mA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
50V
Resistor - base (R1):
kOhms 1
Resistor - base del emisor (R2):
10 kOhms
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
70 @ 50mA, 5V
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Actual - atajo del colector (máximo):
500nA
Punto culminante:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Introducción
HGTG11N120CND NPT Serie N Canal IGBT Diodo hiperrápido antiparalelo 43A 1200V
Descripción:
El HGTG11N120CND es un diseño IGBT sin punción (NPT).
Este es un nuevo miembro de la familia MOS con alta tensión con interruptores IGBT.
Los IGBT combinan las mejores características de los MOSFET y los transistores bipolares.
Este dispositivo tiene la alta impedancia de entrada de un MOSFET y la baja pérdida de conducción en estado de un transistor bipolar.
El IGBT utilizado es el tipo de desarrollo TA49291.
El diodo utilizado es del tipo de desarrollo TA49189.
El IGBT es ideal para muchas aplicaciones de conmutación de alto voltaje que operan a frecuencias moderadas
cuando sean esenciales bajas pérdidas de conducción, tales como: controles de motores CA y CC, fuentes de alimentación y controladores para solenoides,
Relays y contactores, anteriormente tipo de desarrollo TA49303.
Características:
• 43A, 1200V, TC = 25oC
• Capacidad de SOA de conmutación de 1200 V
• Tiempo típico de caída. . . . . .340ns a TJ = 150oC
• Clasificación de cortocircuito
• Baja pérdida de conducción
• Modelo SPICE de impedancia térmica
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Común:
MOQ:
3000 PCS