Enviar mensaje
Hogar > productos > chips CI electrónicos > Familia de IC del sensor de la presión de ACS756SCA-100B-PFF-T de chip CI actual de la electrónica de los ICs del sensor

Familia de IC del sensor de la presión de ACS756SCA-100B-PFF-T de chip CI actual de la electrónica de los ICs del sensor

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Current Sensor 100A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional 5-CA Formed Leads, PFF
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Reinforced Isolation Voltage:
2100V
Temperature:
-40 °C to +85 °C
Output current:
3-10mA
Main Line:
Ic,module,transistor,diodes,capacitor,resistor etc
Package:
SOP-8
Factory Pack:
REEL
Punto culminante:

temperature sensor ic

,

hall effect sensor ic

Introducción

ACS756SCA-100B-PFF-T

Integrado completamente, Hall Effect-Based Linear Current Sensor IC con el aislamiento del voltaje de 3 kVRMS y un conductor actual de la Bajo-resistencia

La familia allegro ACS756 del sensor actual ICs proporciona las soluciones económicas y exactas para la detección actual de la CA o de DC en sistemas industriales, automotrices, comerciales, y de comunicaciones.


Características y ventajas

Ruta de la señal análoga de poco ruido

▪El ancho de banda del dispositivo se fija vía el nuevo perno del FILTRO

▪tiempo de subida de la salida de 5 μs en respuesta a corriente de entrada de paso

▪ancho de banda de 80 kilociclos

▪Error de salida total 1,5% en TA = 25°C

▪Pequeña huella, paquete discreto SOIC8

▪resistencia interna del conductor de 1,2 mΩ

▪voltaje mínimo del aislamiento de 2,1 kVRMS de los pernos 1-4 a los pernos 5-8

▪5,0 V, sola operación de la fuente

▪sensibilidad de la salida de 66 a 185 mV/A

▪Voltaje de salida proporcional a las corrientes de la CA o de DC

▪Fábrica-arreglado para la exactitud

▪Extremadamente voltaje compensado de la salida del establo

▪Casi cero histéresis magnética

▪Salida radiométrica del voltaje de fuente

Descripción

El Allegro® ACS712 proporciona las soluciones económicas y exactas para la detección actual de la CA o de DC en sistemas industriales, comerciales, y de comunicaciones. El paquete del dispositivo permite la puesta en práctica fácil del cliente. Los usos típicos incluyen control de motor, detección y gestión de la carga, las fuentes de alimentación del cambiar-modo, y protección de la falta de la sobreintensidad de corriente.

El dispositivo consiste en un exacto, bajo-compensación, circuito linear del sensor de Pasillo con una trayectoria de cobre de la conducción situada cerca de la superficie del dado. Actual aplicado atravesando esta trayectoria de cobre de la conducción genera un campo magnético que sea detectado por el Pasillo integrado IC y convirtió en un voltaje proporcional.

La exactitud del dispositivo se optimiza con la gran proximidad de la señal magnética al transductor de Pasillo.

Un voltaje exacto, proporcional es proporcionado por la bajo-compensación, interruptor-estabilizó a BiCMOS Pasillo IC, que se programa para la exactitud después de empaquetar.

La salida del dispositivo tiene una cuesta positiva (>VIOUT (Q)) cuando una corriente cada vez mayor atraviesa la trayectoria de cobre primaria de la conducción (de los pernos 1 y 2, a los pernos 3 y 4), que es la trayectoria usada para la detección actual. La resistencia interna de esta trayectoria conductora es el mΩ 1,2 típico, proporcionando pérdida de la energía baja. El grueso del conductor de cobre permite la supervivencia del dispositivo en hasta las condiciones de la sobreintensidad de corriente 5×.

Los terminales de la trayectoria conductora se aíslan eléctricamente del sensor llevan (los pernos 5 a 8). Esto permite que a ACS712 el sensor actual sea utilizado en los usos que requieren el aislamiento eléctrico sin el uso de aisladores ópticos o de otras técnicas costosas del aislamiento.

El ACS712 se proporciona en un paquete pequeño, superficial del soporte SOIC8. El leadframe se platea con la lata del mate del 100%, que es compatible con procesos de montaje impresos libres estándar de la placa de circuito de la ventaja (Pb). Internamente, el dispositivo es Pb-libre, a excepción de las bolas Pb-basadas das alta temperatura de la soldadura del tirón-microprocesador, actualmente exentas de RoHS. El dispositivo está calibrado completamente antes del envío de la fábrica.

Una parte de la lista común

Número de parte. Marca Datecode Paquete
BC847A 1512 SOT-23
IHLP2020BZER2R2M11 VISHAY 2.2UH/1415 SMD
IRF7329TRPBF IR P447G SOP-8
LD39150PT ST GKOPY302 TO-252
MC34063ADR2G EN 1518 SOP-8
MIC841LYC5 MICREL B14 SC70-5
S3D VISHAY SD DO-214AB
TL431ACDBZR TI TAC SOT-23
TLP124 TOS 413 SOP-4
TNY275PG PODER 1525/1530 DIP-7
ZM4732A ST 15+ LL41
CMS05 TOS S5 M-FLAT
SMAJ6.0A VISHAY AG/1615 SMA
SMAJ58A VISHAY RG DO214AC
TCN75AVOA MICRÓFONO 1552 SOP-8
condensador de cerámica 0603 1000 NPO del PF (1,0 N-F) el 5% 50V GRM1885C1H102JA01 MURATA IA6322RT5 SMD0603
MMBTA92LT1G EN 2.o SOT-23
PT2262S PTC 1SD35Z/NXD15 SOP-20
PT2272A-M2 PTC 1SE32Z/KBCPQ DIP-20
PT2272-M4 PTC 1SE32Z/NXD16 DIP-20
PT2272-L4 PTC 1SE36Z/NXD12 DIP-20
PT2272-M6 PTC 1SE32Z/QQT12 DIP-20
ES3A-E3/57T VISHAY EA-1535-1610-1615 DO-214AB/SMC
MAX489CPD MÁXIMA 1548 DIP-14
NH82801GB SL8FX INTEL L934H040 BGA652
LITTELFUSE-0459003.UR LITTELFUSE 07-03-25,07-03-19,07-02-20 SMD
Ms 110R el 5% del RES 2512 1W
RC2512JK-07110RL
YAGEO 1609 SMD2512
CASQUILLO BUJÍA MÉTRICA 22uF 25V X5R el 10%
GRM32ER61E226KE15L
MURATA IA6526QH6 SMD1210
CASQUILLO BUJÍA MÉTRICA 10UF 50V 2220 X7R el 20% C5750X7R1H106MT000N TDK IB16E09167SD SMD2220
TXD2SA-5V CACEROLA 10220,10205,10130 SMD-8
CASQUILLO CER 10KPF/50V EL ±20%
C0805C103M5RACTU
KEMET 1603 SMD0805
Ms 0R68 el 1% del RES
RL2512FK-070R68L
YAGEO 1614 SMD2512
CASQUILLO BUJÍA MÉTRICA CER 10uF 16V el 20% X5R C3216X5R1C106MT000N TDK IB16E17800SD SMD1206
AO3400A ALFA 16C/A0CV17 SOT-23
HGDEPT031A ALFA 090803DL09/DLf, 090803DK02/DKf SOT-23
IND 3,3uH 1A COILCRAFT
LPS3015-332MLC
COILCRAFT 2010320288/89/332D SMD3015
BSS138LT1G EN 1623/J1 SOT-23
CASQUILLO CER 68KPF/100V EL 10%
12061C683KAT2A
AVX 1618 SMD1206
BSS84LT1G EN 1615/PD SOT-23
PBSS5320T 1430/ZHW SOT-23
AP130-33SAG-7 DIODOS 1320/U83TB SOT-23
06035A220KAT2A AVX 1613 SMD0603
12105A472KAT2A AVX 1616 SMD1210
CASQUILLO CER 1000PF/50V EL 10% 06035A102JAT2A AVX 1611 SMD0603
CASQUILLO CER 56000PF/25V EL 10%
06033C563KAT2A
AVX 1614 SMD0603
DIO RET 200V 3A ES3D-E3/57T VISHAY 1615/ED SMC
GBY321611T-202Y-N CHILISIN 2016-2-26 SMD1206
DFLS120L-7 DIODOS 1341/F02 SOD123
DIO SS14 MIC 1614 SMA
06033A102JAT2A AVX 1616 SMD0603
NPO del CER 20pF/16V el 10% del CASQUILLO
GRM1885C1H200JA01D
MURATA IA6424HH8 SMD0603
NPO del CER 200pF/16V el 10% del CASQUILLO
GRM1885C1H201JA01D
MURATA IA6420PL5 SMD0603
GOTA 120R el 25% PBY160808T-121Y-N CHILISIN 2016-3-6 SMD0603
GOTA 11R
PBY321611T-110Y-N
CHILISIN 2016-4-6 SMD1206
CASQUILLO BUJÍA MÉTRICA 22uF/10V X5R
CL21A226MPCLRNC
SAMSUNG AC5TOAG SMD0805
12067C472KAT2A AVX 1616 SMD1206
B340-13-F DIODOS 1531/B340 SMC
MMBT3904LT1G EN 1620/1AM SOT-23
BLM41AF800SN1L MURATA AM6105337 SMD1808
BSS138LT1G EN 1623/J1 SOT-23
PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123  de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
50pcs