TIP3055 transistores del mosfet del poder más elevado de los transistores de poder del silicio NPN
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
VCBO:
100 V
VCER:
70 V
VCEO:
60 V
VEBO:
7 V
I C:
15 A
Punto culminante:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Introducción
TIP3055 transistores del mosfet del poder más elevado de los transistores de poder del silicio NPN
Características
■Voltaje de saturación bajo del colector-emisor
■NPN complementario - transistores de PNP
Usos
■Fines generales
■Amplificador audio
Descripción
Los dispositivos se fabrican en tecnología planar de la epitaxial-base y son convenientes para los usos lineares y que cambian audios, del poder.
Resumen del dispositivo
| Código de orden | Marca | Paquete | Empaquetado |
| TIP2955 | TIP2955 | TO-247 | tubo |
| TIP3055 | TIP3055 |
LISTA COMÚN
| LXT970AQC | 4907 | LEVELONE | 10+ | QFP |
| MSP430FG4619IPZ | 6834 | TI | 16+ | LQFP |
| NCP1052ST136T3G | 9280 | EN | 16+ | SOT-223 |
| MAX17121ETG | 6550 | MÁXIMA | 16+ | QFN |
| MAC97A6 | 25000 | EN | 16+ | TO-92 |
| MPC89E58AF | 5910 | MEGAWIN | 16+ | PQFP |
| CS4398-CZZR | 2234 | CIRRO | 15+ | TSSOP |
| LC4064V-75TN100-10I | 3070 | ENREJADO | 15+ | QFP |
| ME0550-02DA | 595 | IXYS | 14+ | IGBT |
| MDD26-14N1B | 5902 | IXYS | 16+ | IGBT |
| MT9V024IA7XTM | 2499 | EN | 15+ | BGA |
| MCC21-1408B | 4756 | IXYS | 14+ | IGBT |
| CM100DU-24NFH | 378 | MITSUBI | 15+ | MÓDULO |
| 6RI100E-080 | 958 | FUJI | 15+ | MÓDULO |
| PM150RSD060 | 250 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| PK160F-160 | 120 | SANREX | 11+ | MÓDULO |
| LC540 | 3081 | TI | 15+ | TSSOP |
| OP20FZ | 596 | ANUNCIO | 16+ | CDIP |
| PCA9554PWR | 12420 | TI | 16+ | TSSOP |
| M1494NC180 | 479 | WESTCODE | 14+ | MÓDULO |
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