Transistor de poder del silicio NPN del ISC de 2SC4546 3 Pin Transistor
Especificaciones
Collector-Base Voltage:
600 V
Collector-Emitter Voltage:
400 V
Emitter-Base Voltage:
7 V
Collector Current-Continuous:
7 A
Junction Temperature:
150 ℃
Storage Temperature:
-55~150 ℃
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introducción
Oferta común (venta caliente)
Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
RURG8060 | 6054 | FSC | 13+ | TO-247 |
S1133 | 4195 | HAMAMATSU | 13+ | DIP-2 |
S14K320 | 92000 | EPSON | 15+ | INMERSIÓN |
S1D13506F00A200 | 2146 | EPSON | 11+ | QFP |
S1G-E3/61T | 18000 | VISHAY | 16+ | DO-214 |
S21152BB | 1768 | INTEL | 10+ | QFP |
S25FL128P0XMFI001 | 12260 | SPANSION | 16+ | SOP-16 |
S25FL216KOPMFI011 | 68000 | SPANSION | 14+ | SOP-8 |
S25FL512SAGMFI013 | 3723 | SPANSION | 15+ | SOP-16 |
S29AL016D70TFI010 | 5204 | SPANSION | 08+ | TSSOP-48 |
S29JL064H90TFI00 | 5068 | SPANSION | 06+ | TSSOP-48 |
S2B-PH-K-S | 167000 | JST | 14+ | SMD |
S2J-E3/52T | 75000 | VISHAY | 15+ | DO-214AA |
S2S4BYOF | 13830 | SOSTENIDO | 16+ | SOP-4 |
S34ML08G101BHI000 | 2100 | SPANSION | 16+ | BGA63 |
S3A-E3/57T | 8500 | VISHAY | 16+ | DO-214AB |
S3B-13-F | 67000 | DIODOS | 16+ | DO-214AB |
S3C6410X66-YB40 | 2983 | SAMSUNG | 14+ | BGA |
S3F9454BZZ-DK94 | 5833 | SAMSUNG | 09+ | INMERSIÓN |
S4X8ES | 69000 | LITTELFUS | 10+ | TO-92 |
S558-5500-25-F | 5804 | BELFUSE | 15+ | SOP-16 |
S5B-PH-K-S (SI) (SN) | 94000 | JST | 16+ | NA |
S5M-E3/57T | 77000 | VISHAY | 16+ | DO-214AB |
S6040R | 8070 | LITTELFUS | 14+ | TO-220 |
S6B-XH-SM4-TB (SI) (SN) | 7573 | JST | 16+ | SMD |
S7B-PH-SM4-TB (SI) (SN) | 23131 | JST | 13+ | SMD |
S8025L | 8041 | TECCOR | 07+ | TO-220 |
S8065K | 5681 | TECCOR | 16+ | TO-3P |
SAB80C517A-N18-T3 | 2443 | 14+ | PLCC84 | |
SAFEA2G35MB0F00R15 | 6517 | MURATA | 16+ | SMD |
transistor de poder del silicio NPN del ISC 2SC4546
DESCRIPCIÓN
·Voltaje de avería del Colector-emisor: V (BR) CEO = 400V (minuto)
·Alta velocidad que cambia
USOS
·Diseñado para el recorte regulador, encendiendo el inversor y usos de los fines generales.
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (Ta=25℃)
SÍMBOLO | PARÁMETRO | VALOR | UNIDAD |
VCBO | Voltaje de la Colector-base | 600 | V |
VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 400 | V |
VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 7 | V |
IC | Colector Actual-continuo | 7 | |
ICM | Actual-pico del colector | 14 | |
IB | Actual-continuo bajo | 2 | |
PC | Disipación de poder del colector @TC=25℃ | 30 | W |
TJ | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55~150 | ℃ |
PRODUCTOS RELACIONADOS
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
20pcs