Transistor de poder fresco del transistor MOS™ del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn SPA04N60C3XKSA1
npn smd transistor
,silicon power transistors
SPP04N60C3, SPB04N60C3
Datos finales SPA04N60C3
Transistor de poder fresco de MOSô
VDS @ Tjmax | 650 | V |
RDS (encendido) | 0,95 | Ω |
Identificación | 4,5 |
Característica
• Nueva tecnología de alto voltaje revolucionaria
• Carga ultrabaja de la puerta
• La avalancha periódica valoró
• Dv/dt extremo valoró
• Alta capacidad actual máxima
• Transconductancia mejorada
• P-TO-220-3-31: Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto)
P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1
Grados máximos
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | |
SPP_B | BALNEARIO | |||
Corriente continua del dren TC = °C 25 TC = °C 100 |
Identificación |
4,5 2,8 |
4,51) 2,81) |
|
La corriente pulsada del dren, tp limitó por Tjmax | Puls de la identificación | 13,5 | 13,5 | |
Energía de la avalancha, sola identificación =3.4, VDD =50V del pulso | EAS | 130 | 130 | mJ |
Energía de la avalancha, alquitrán repetidor limitados por la identificación =4.5A, VDD =50V de Tjmax 2) | OÍDO | 0,4 | 0,4 | mJ |
Avalancha actual, alquitrán repetidor limitado por Tjmax | IAR | 4,5 | 4,5 | |
Parásitos atmosféricos del voltaje de fuente de puerta | VGS | ±20 | ±20 | V |
CA del voltaje de fuente de puerta (f >1Hz) | VGS | ±30 | ±30 | |
Disipación de poder, TC = 25°C | Ptot | 50 | 31 | W |
Temperatura del funcionamiento y de almacenamiento | Tj, Tstg | -55… +150 | °C | |
Drene la cuesta del voltaje de la fuente |
dv/dt | 50 | V/ns |
P-TO-220-3-1
P-TO-263-3-2 (D2-PAK)
P-TO-220-3-31 (FullPAK)
Oferta común (venta caliente)
Número de parte. | Q'ty | MFG | D/C | Paquete |
MC14536BDWR2G | 6563 | EN | 16+ | COMPENSACIÓN |
LT5400BCMS8E-4#PBF | 4130 | LINEAR | 16+ | MSOP |
MC4741CD | 3556 | MOT | 16+ | COMPENSACIÓN |
PIC10F322T-I/OT | 9250 | MICROCHIP | 16+ | BORRACHÍN |
MC14584BDR2G | 10000 | EN | 16+ | COMPENSACIÓN |
LT1014DSW#TRPBF | 8146 | LT | 14+ | SOP-16 |
MC145152DW2 | 5186 | FREESCAL | 15+ | COMPENSACIÓN |
MC78M05CDTX | 10000 | FAI | 16+ | SOT-252 |
MBM29F040C-90PD-SFL | 14690 | FUJITSU | 16+ | PLCC |
L6563TR | 3752 | ST | 15+ | SOP14 |
MUR1560G | 7604 | EN | 16+ | TO-220 |
MUR840G | 7300 | EN | 16+ | TO-220 |
MMSZ4682T1G | 25000 | EN | 16+ | SOD-123 |
MC68HC908QY4ACDWE | 3820 | FREESCALE | 16+ | SOIC |
MB8431-90LPFQ | 3226 | FUJI | 16+ | QFP |
MMSZ5246BT1G | 30000 | EN | 16+ | SOD-123 |
LM5642MTCX | 1833 | NSC | 14+ | TSSOP-28 |
PIC16F1829-I/SS | 5263 | MICROCHIP | 16+ | SSOP |
L4940V12 | 3675 | ST | 14+ | TO-220 |
RA8875L3N | 1200 | RAIO | 15+ | TQFP-100 |
MB8421-90LPFQ-GE1 | 3165 | FUJI | 14+ | QFP |